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首頁(yè) >FDD5N50FTM>規(guī)格書列表

型號(hào)	下載訂購(gòu)	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
FDD5N50FTM	文件：758.53 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel MOSFET, FRFET Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand 文件：758.53 Kbytes 頁(yè)數(shù)：8 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD
FDD5N50FTM-WS	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè) 描述：MOSFET N-CH 500V 3.5A DPAK	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
FDD5N50NZ	文件：519.9 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel MOSFET 500V, 4A, 1.5? Description UniFET? II MOSFET is Fairchild Semiconductor?’s high voltage MOSFET family based on advanced planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET family has the smallest on-state resistance among the planar MOSFET, and also provides superior switching performance and higher avala 文件：519.9 Kbytes 頁(yè)數(shù)：8 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD
FDD5N50NZF	文件：304.59 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel MOSFET 500V, 3.7A, 1.75廓 Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advance technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand 文件：304.59 Kbytes 頁(yè)數(shù)：8 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD
FDD5N50NZFTM	文件：298.83 Kbytes Page：14 Pages	DESIGN/PROCESS CHANGE NOTIFICATION Description SuperFET?II MOSFET is Fairchild Semiconductor?’s first generation of high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance.This advanced technology is tailored to minimize conducti 文件：298.83 Kbytes 頁(yè)數(shù)：14 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD

詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
FDD5N50FTM
功能描述：
MOSFET UniFET 500V 3.5A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
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深圳市高捷芯城科技有限公司	FDD5N50FTM	onsemi(安森美)	25+	TO-252(DPAK)	7786	正規(guī)渠道,免費(fèi)送樣。支持賬期,BOM一站式配齊	詢價(jià)
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更多FDD5N50FTM供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-19 16:05:00

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