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          首頁 >FDD770N15A>規(guī)格書列表

          型號(hào)下載 訂購(gòu)功能描述制造商 上傳企業(yè)LOGO

          FDD770N15A

          N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

          Features ? VDS= 150V, ID= 20 A RDS(ON)

          文件:685.88 Kbytes 頁數(shù):4 Pages

          BYCHIP

          百域芯

          FDD770N15A

          N-Channel PowerTrench? MOSFET

          文件:639.58 Kbytes 頁數(shù):10 Pages

          FAIRCHILD

          仙童半導(dǎo)體

          FDD770N15A

          絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/dpak/marking.html">DPAK;Package:TO-252;isc N-Channel MOSFET Transistor

          文件:266.3 Kbytes 頁數(shù):2 Pages

          ISC

          無錫固電

          FDD770N15A

          PowerTrench? MOSFET,N 溝道,150 V,18 A,77 mΩ

          此 N 溝道 MOSFET 采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的 Power Trench?工藝生產(chǎn),這一先進(jìn)工藝是專為最大限度地降低通態(tài)電阻并保持卓越開關(guān)性能而定制的。 ?RDS(on) = 61mΩ(典型值)@ VGS = 10V, ID = 12A\n?快速開關(guān)速度\n?低柵極電荷\n?高性能溝道技術(shù)可實(shí)現(xiàn)極低的 RDS(on)\n?高功率和高電流處理能力\n?符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn);

          ONSEMI

          安森美半導(dǎo)體

          技術(shù)參數(shù)

          • Pb-free:

            Pb

          • Halide free:

            H

          • Status:

            Active

          • Channel Polarity:

            N-Channel

          • Configuration:

            Single

          • V(BR)DSS Min (V):

            150

          • VGS Max (V):

            ±20

          • VGS(th) Max (V):

            4

          • ID Max (A):

            18

          • PD Max (W):

            56.8

          • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):

            77

          • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

            8.4

          • Ciss Typ (pF):

            575

          • Package Type:

            DPAK-3/TO-252-3

          供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
          ONSEMI/安森美
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          更多FDD770N15A供應(yīng)商 更新時(shí)間2026-1-21 9:04:00
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