絲?。?strong>FDD8880；Package：TO-252；30V N -Channel MOSFET

Features High performance trench technology for extremely low RDS(ON) Low gate charge High power and current handling capability VDS =30V RDS(ON) (at VGS =10V)

文件：436.36 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages

UMW

友臺半導體

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features ? VDS= 30V, ID= 80A RDS(ON)

文件：2.243 Mbytes 頁數(shù)：5 Pages

BYCHIP

百域芯

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID=58A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS=30V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 9mΩ(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC conve

文件：353.29 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages

ISC

無錫固電

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件：1.01995 Mbytes 頁數(shù)：8 Pages

VBSEMI

微碧半導體

N-Channel PowerTrench MOSFET

文件：127.5 Kbytes 頁數(shù)：11 Pages

FAIRCHILD

仙童半導體

N-Channel PowerTrench? MOSFET 30V, 58A, 9m廓

文件：503.61 Kbytes 頁數(shù)：11 Pages

FAIRCHILD

仙童半導體

N 溝道，PowerTrench? MOSFET，30V，58A，9mΩ

此N溝道MOSFET是專為使用同步或傳統(tǒng)開關PWM控制器來改進DC/DC轉換器整體功效而設計的。 已針對低柵極電荷、低rDS(ON) 和高速開關進行了優(yōu)化。 ?RDS(ON) = 9 mΩ @ VGS = 10V @ ID = 35A\n?RDS(ON) = 12 mΩ @ VGS = 4.5V @ ID = 35A\n?高性能溝道技術可實現(xiàn)極低的RDS(on)\n?低柵極電荷\n?高功率和高電流處理能力;

ONSEMI

安森美半導體

N-Channel PowerTrench? MOSFET 30V, 58A, 9m廓

文件：503.61 Kbytes 頁數(shù)：11 Pages

FAIRCHILD

仙童半導體