絲?。?strong>FDD8780；Package：TO-252；25 V N -Channel MOSFET

Features Low gate charge: Qg(10) = 21nC(Typ), VGS = 10V Low gate resistance VDS(V) = 25V ID =35A (VGS = 10V) RDS(ON)

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UMW

友臺半導(dǎo)體

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID=35A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS=25V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 8.5mΩ(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC con

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ISC

無錫固電

N-Channel PowerTrench? MOSFET 25V, 35A, 8.5mOhm

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

N 溝道，PowerTrench? MOSFET，25V，35A，8.5mΩ

此N溝道MOSFET是專為使用同步或傳統(tǒng)開關(guān)PWM控制器來改進(jìn)DC/DC轉(zhuǎn)換器整體功效而設(shè)計的。 已針對低柵極電荷、低rDS(ON) 和高速開關(guān)進(jìn)行了優(yōu)化。 ?VGS = 10V，ID = 35A時，最大rDS(on) = 8.5 mΩ\n?VGS = 4.5V，ID = 35A時，最大rDS(on) = 12.0 mΩ\n?低柵極電荷： Qg(10) = 21nC（典型值），VGS = 10V\n?低柵極電阻\n?雪崩額定值，100%經(jīng)過測試\n?符合RoHS標(biāo)準(zhǔn);

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體