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FDC6301N-TP	文件：870.8 Kbytes Page：3 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/301p/marking.html">301P；Package：SOT23-6；Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：870.8 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	TECHPUBLIC 臺舟電子	TECHPUBLIC
FDG6301N	文件：226.61 Kbytes Page：8 Pages	Dual N-Channel, Digital FET General Description These dual N-Channel logic level enhancement mode field effect transistors are produced using Fairchilds proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. This device has been designed especi 文件：226.61 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD
FDG6301N	文件：351.8 Kbytes Page：5 Pages	Dual N-Channel, Digital FET 文件：351.8 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD
FDG6301N	文件：1.08153 Mbytes Page：4 Pages	Dual N-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) = 25V ● ID = 220m A (VGS = 4.5V) ● RDS(ON) 6kV Human Body Model). 文件：1.08153 Mbytes 頁數(shù)：4 Pages	KEXIN 科信電子	KEXIN

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深圳中芯器材有限公司	FDC6301N-TP	TECH PUBLIC(臺舟)	23+	SOT-23-6	9255	三極管/MOS管/晶體管 > 場效應(yīng)管(MOSFET)	詢價
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