Single N-Channel, 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET

General Description This N-Channel 2.5V specified MOSFET is produced using Fairchild Semiconductors advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. These devices have been designed

文件：240.68 Kbytes 頁(yè)數(shù)：8 Pages

FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

文件：1.03816 Mbytes 頁(yè)數(shù)：9 Pages

VBSEMI

微碧半導(dǎo)體

N 溝道，PowerTrench? MOSFET，2.5V 指定，20V，6.2A，24mΩ

此N溝道2.5V額定MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的PowerTrench工藝生產(chǎn)，這一先進(jìn)工藝是專為最大限度地降低通態(tài)電阻并保持低柵極電荷以獲得卓越開(kāi)關(guān)性能而定制的。 與SO-8和TSSOP-8封裝的大尺寸不同，這些器件經(jīng)過(guò)專門(mén)設(shè)計(jì)，能以非常小的尺寸提供出色的功耗特性。 ?6.2 A，20 V。 RDS(on) = 0.024 Ω @ VGS = 4.5 V, RDS(on) = 0.032 Ω @ VGS = 2.5 V\n?快速開(kāi)關(guān)速度。\n?低柵極電荷（10.5nC，典型值）。\n?高性能溝道技術(shù)可實(shí)現(xiàn)極低的RDS(ON)。\n?SuperSOT? -6封裝： 小尺寸（比標(biāo)準(zhǔn)SO-8小72%）；薄型（1mm厚）。;

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

N-Channel 2.5V Specified PowerTrench? MOSFET 20V, 6.2A, 24m廓

文件：403.14 Kbytes 頁(yè)數(shù)：6 Pages

FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

文件：1.037819 Mbytes 頁(yè)數(shù)：9 Pages

VBSEMI

微碧半導(dǎo)體

N-Channel 2.5V Specified PowerTrench? MOSFET 20V, 6.2A, 24mΩ

Features Max rDS(on) = 24mΩ at VGS = 4.5V, ID = 6.2A Max rDS(on) = 32mΩ at VGS = 2.5V, ID = 5.2A Fast switching speed Low gate charge (8nC typical) High performance trench technology for extremely low rDS(on) SuperSOT?–6 package: small footprint (72% smaller than standard SO-8; low

文件：461.08 Kbytes 頁(yè)數(shù)：8 Pages

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體