P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET

General Description This P-Channel 2.5V specified MOSFET uses a rugged gate version of Fairchild’s advanced PowerTrench process. It has been optimized for power management applications with a wide range of gate drive voltage (2.5V – 12V). Features ? –4.5 A, –20 V RDS(ON)= 0.053 ?@ VGS=

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

P-Channel 2.5V PowerTrench Specified MOSFET

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P-Channel 2.5V PowerTrench Specified MOSFET

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P 溝道，PowerTrench? MOSFET，2.5V 指定，-20V，-4.5A，53mΩ

此P溝道2.5V額定MOSFET采用穩(wěn)固?hào)艠O版本的飛兆先進(jìn)的PowerTrench工藝生產(chǎn)。 它已針對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)電壓范圍(2.5V – 12V)廣泛的電源管理應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。 ?-4.5 A，-20 V。\n?RDS(ON) = 0.053 Ω @ VGS = 4.5 V\n?RDS(ON) = 0.080 Ω @ VGS = 2.5 V\n?耐用柵極額定值(±12V)\n?快速開(kāi)關(guān)速度\n?高性能溝道技術(shù)可實(shí)現(xiàn)極低的RDS(ON);

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體