北京大學(xué)研究團隊在氧化物半導(dǎo)體器件方向取得系列重要進展
集成電路 半導(dǎo)體材料 半導(dǎo)體技術(shù) ,單片三維集成是集成電路在后摩爾時代的重要發(fā)展方向,存儲與邏輯的單片集成可以大幅提升系統(tǒng)的帶寬與能效,是解決當(dāng)前集成電路領(lǐng)域面臨的“存儲墻”與“功耗墻” 挑戰(zhàn)的主要技術(shù)路徑。此外,硅基工藝的高熱預(yù)算限制了其在后道工藝中實現(xiàn)有源器件的制備,因此硅基后道兼容、低熱預(yù)算、高性能的新型半導(dǎo)體溝道成為了學(xué)術(shù)界和工業(yè)界的前沿?zé)狳c領(lǐng)域。以銦鎵鋅氧化物(IGZO)為代表的非晶氧化物半導(dǎo)體具有極佳的綜合性能,是后道兼容邏輯器件與存儲器件的主要候選材料。 北京大學(xué)


























