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IRFD122	文件：360.08 Kbytes Page：6 Pages	1.3A and 1.1A, 80V and 100V, 0.30 and 0.40 Ohm, N-Channel Power MOSFETs Description These are advanced power MOSFET is designed, tested, and guaranteed to withstand a specified level of energy in the breakdown avalanche mode of operation. These are N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistors designed for applications such as switching regul 文件：360.08 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	HARRIS	HARRIS
IRFF122	文件：165.85 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Power MOS Field-Effect Transistors 5.0A and 6.0A, 60V-100V rDS(0n) = 0.30Ω and 0.40Ω Features: ■ SOA is power-dissipation limited ■ Nanosecond switching speeds ■ Linear transfer characteristics ■ High input impedance ■ Majority carrier device 文件：165.85 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	GESS	GESS
ISCD122	文件：251.33 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 文件：251.33 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
ISCI122P	文件：222.07 Kbytes Page：2 Pages	isc Thyristors 文件：222.07 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC

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上海專毅電子科技有限公司	IRFD123	IR	17+	DIP4	9700	只做全新進(jìn)口原裝,現(xiàn)貨庫存	詢價(jià)

更多IRFD122供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-22 8:11:00