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首頁(yè) >FDD6N25TM>規(guī)格書(shū)列表

型號(hào)	下載訂購(gòu)	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
FDD6N25TM	文件：677.91 Kbytes Page：9 Pages	250V N-Channel MOSFET Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand hig 文件：677.91 Kbytes 頁(yè)數(shù)：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD
FDD6N25TM	文件：298.83 Kbytes Page：14 Pages	DESIGN/PROCESS CHANGE NOTIFICATION Description SuperFET?II MOSFET is Fairchild Semiconductor?’s first generation of high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance.This advanced technology is tailored to minimize conducti 文件：298.83 Kbytes 頁(yè)數(shù)：14 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD
FDU6N25	文件：677.91 Kbytes Page：9 Pages	250V N-Channel MOSFET Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand hig 文件：677.91 Kbytes 頁(yè)數(shù)：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD
FDU6N25TU	文件：677.91 Kbytes Page：9 Pages	250V N-Channel MOSFET Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand hig 文件：677.91 Kbytes 頁(yè)數(shù)：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD
FQB6N25	文件：738.63 Kbytes Page：9 Pages	250V N-Channel MOSFET Features ? 5.5A, 250V, RDS(on) = 1.0? @VGS = 10 V ? Low gate charge ( typical 6.6 nC) ? Low Crss ( typical 7.5 pF) ? Fast switching ? 100 avalanche tested ? Improved dv/dt capability 文件：738.63 Kbytes 頁(yè)數(shù)：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD

詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
FDD6N25TM
功能描述：
MOSFET 250V N-CH MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市正納電子有限公司	FDD6N25TM	FAIRCHIL	ROHS/new original	TO-252	10500	原裝元器件供應(yīng)現(xiàn)貨支持。咨詢更多現(xiàn)貨庫(kù)存,支持樣	詢價(jià)
深圳市歐立現(xiàn)代科技有限公司	FDD6N25TM	Fairchild	24+	TO-252	8150	絕對(duì)原裝現(xiàn)貨,價(jià)格低,歡迎詢購(gòu)!	詢價(jià)
海芯未來(lái)半導(dǎo)體電子（深圳）有限公司	FDD6N25TM	仙童	24+	NA	6800		詢價(jià)
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深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	FDD6N25TM	FAIRCHILD	24+	TO-252-3	8866		詢價(jià)
深圳市達(dá)恩科技有限公司	FDD6N25TM	ONSemiconductor	24+	NA	3000	進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢(shì)供應(yīng)	詢價(jià)
深圳市華斯頓科技有限公司	FDD6N25TM	FSC	25+23+	TO-252	16516	絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨	詢價(jià)
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深圳市納立科技有限公司	FDD6N25TM		三年內(nèi)		1983	只做原裝正品	詢價(jià)

更多FDD6N25TM供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-22 13:39:00

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