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型號(hào)	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
FDFMA2N028Z	文件：452.16 Kbytes Page：8 Pages	Integrated N-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode General Description This device is designed specifically as a single package solution for a boost topology in cellular handset and other ultra-portable applications. It features a MOSFET with low on-state resistance, and an independently connected schottky diode with low forward voltage. The Micr 文件：452.16 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD
FDFMA2N028Z	文件：1.23423 Mbytes Page：8 Pages	Integrated N-Channel PowerTrench? MOSFET and Schottky Diode 20V, 3.7A, 68m廓文件：1.23423 Mbytes 頁數(shù)：8 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD
FDFMA2N028Z_08	文件：1.23423 Mbytes Page：8 Pages	Integrated N-Channel PowerTrench? MOSFET and Schottky Diode 20V, 3.7A, 68m廓文件：1.23423 Mbytes 頁數(shù)：8 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD
FDFMA2N028Z	文件：300 bytes Page：1 Pages	集成式 N 溝道，Power Trench? MOSFET 和肖特基二極管，20V，3.7A，68mΩ 該器件特別設(shè)計(jì)為一個(gè)單封裝解決方案，適用于手機(jī)和其他超便攜應(yīng)用的升壓拓樸。它采用具有低通態(tài)電阻的MOSFET，以及一個(gè)獨(dú)立連接的低正向電壓肖特基二極管。MicroFET 2x2封裝以其緊湊的尺寸提供了卓越的熱性能，非常適用于開關(guān)和線性模式應(yīng)用。 ?最大rDS(on) = 68mΩ at VGS = 4.5V, ID = 3.7A\n?最大 rDS(on) = 86mΩ at VGS = 2.5V, ID = 3.3A\n?HBM靜電放電保護(hù)等級(jí)為>2kV（注3）肖特基\n?VF < 0.37V (500mA)\n?薄型 – 最大0.8mm – 采用新的MicroFET2x2 mm封裝\n?符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn);	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI

技術(shù)參數(shù)

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
with Schottky Diode
V(BR)DSS Min (V)：
20
VGS Max (V)：
12
VGS(th) Max (V)：
1.5
ID Max (A)：
3.7
PD Max (W)：
1.4
RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)：
86
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
68
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
4
Ciss Typ (pF)：
340
Package Type：
WDFN-6

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
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