Integrated 60V P-Channel PowerTrench??MOSFET and Schottky Diode

General Description The FDFS2P106A combines the exceptional performance of Fairchilds PowerTrench MOSFET technology with a very low forward voltage drop Schottky barrier rectifier in an SO-8 package. This device is designed specifically as a single package solution for DC to DC converters. It fe

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

集成式 P 溝道，Power Trench? MOSFET 和肖特基二極管，-60V，-3.0 A，110mΩ

FDFS2P106A將飛兆PowerTrench MOSFET技術(shù)所具有的卓越性能與正向壓降非常低的肖特基勢壘整流器融合在SO-8封裝中。 此器件專門設(shè)計為DC至DC轉(zhuǎn)換器的單封裝解決方案。 它具有快速開關(guān)、低柵極電荷的MOSFET以及極低的通態(tài)電阻。 獨立連接的肖特基二極管允許其在大量DC/DC轉(zhuǎn)換器拓撲下使用。 ? ? -3.0A, -60 V\n? RDS(on) = 110 mΩ（VGS = -10 V時）\n? RDS(on) = 140 mΩ（VGS = -4.5 V時）? VF < 0.45 V @ 1 A (TJ = 125°C)\n? VF < 0.53 V @ 1 A\n? VF J = 125°C)\n? VF < 0.62 V @ 2 A? 肖特基二極管和MOSFET已整合在單電源表面貼裝SO-8封裝中? 電氣獨立的肖特基二極管和MOSFET引腳，可實現(xiàn)設(shè)計的靈活性\n? Schottky and MOSFET incorporated into singlepower surfa;

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

8-SOIC

ON

上傳：深圳市金嘉銳電子有限公司

SOT363

FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

上傳：深圳市創(chuàng)博偉業(yè)科技有限公司

SMD

ON/安森美

上傳：深圳市明嘉萊科技有限公司