碳化硅 IGBT ，據(jù)東風(fēng)汽車官方消息，東風(fēng)旗下智新半導(dǎo)體碳化硅功率模塊項(xiàng)目將于2023年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)裝車。 同時(shí)，東風(fēng)汽車與中國信科共建的汽車芯片聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室，正在推進(jìn)車規(guī)級MCU芯片在漢落地，預(yù)計(jì)2024年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)；與中芯國際合作，已完成設(shè)計(jì)首款MCU芯片。 作為IGBT模塊的升級產(chǎn)品、第三代半導(dǎo)
SSD NAND Flash 美光科技 ，近日，存儲(chǔ)廠商美光宣布將向全球PCOEM客戶發(fā)售美光2550 NVMe? SSD，用于主流筆記本電腦和臺(tái)式機(jī)。2550系列SSD是世界上第一款使用超過200層NAND的客戶端SSD。 據(jù)介紹，新的2550系列SSD基于PCIe Gen4架構(gòu)，采用了美光的232層NAND，并專注于熱架構(gòu)和電源設(shè)計(jì)，可在主流PC平臺(tái)（包括游戲、消費(fèi)和商業(yè)客戶端設(shè)備）中實(shí)現(xiàn)更快、響應(yīng)更靈敏的應(yīng)用程序。 與同類競爭產(chǎn)品相比，SSD傳輸文件的速度最高
閃存芯片 NAND Flash 至訊創(chuàng)新 ，日前，國內(nèi)存儲(chǔ)行業(yè)迎來重大喜訊，由至訊創(chuàng)新完全自主研發(fā)的國內(nèi)首款中小容量高可靠性19nm 2D NAND閃存芯片研制成功，預(yù)計(jì)將于明年年初全面投放市場。這是國內(nèi)存儲(chǔ)行業(yè)的跨越式突破，技術(shù)水平已趕超國際一流。 這是國內(nèi)首款全自研、運(yùn)用先進(jìn)工藝的中小容量高可靠性19nm 2D NAND閃存芯片。產(chǎn)品將覆蓋512Mb、1Gb和2Gb容量，提供1.8V和3.3V電壓，并采用業(yè)界主流串行接口SPI和WSON封裝。
芯片設(shè)計(jì) IC芯片 Marvell ，在芯片制造過程中，可以分為主產(chǎn)業(yè)鏈和支撐產(chǎn)業(yè)鏈：主產(chǎn)業(yè)鏈包括芯片設(shè)計(jì)、制造和封測；支撐產(chǎn)業(yè)鏈包括IP、EDA、裝備和材料等。 其中，高昂的成本主要由人力與研發(fā)費(fèi)用、流片費(fèi)用、IP和EDA工具授權(quán)費(fèi)等幾部分組成。同時(shí)芯片制造環(huán)節(jié)涉及到的晶圓廠投資、晶圓制造以及相關(guān)設(shè)備成本也將會(huì)分?jǐn)偟叫酒w成本之中。 因此，在工藝制程的演進(jìn)下，半導(dǎo)體芯片的研發(fā)成本也隨之飆升。 據(jù)Marvell高管近日在一場分析會(huì)上介紹，28nm工
三星 英特爾 ARM ，邁入下行周期以來，各頭部大廠紛紛使出渾身解數(shù)，求新求變。近日，英特爾CEO會(huì)見了三星高管，進(jìn)一步討論半導(dǎo)體合作事宜；Arm則引入了高通和英特爾前高管，以繼續(xù)推進(jìn)IPO，并且與供應(yīng)鏈伙伴會(huì)面，為抓住未來新興增長點(diǎn)加強(qiáng)交流。 英特爾CEO會(huì)見三星高管，討論半導(dǎo)體合作事宜 外媒消息顯示，近日，英特爾首席執(zhí)行官PatGelsinger會(huì)見了三星電子設(shè)備解決方案（DS）部門總裁Kyun
臺(tái)積電 GPU 英偉達(dá)顯卡 ，GPU大廠英偉達(dá)（NVIDIA）年初遭黑客組織勒索病毒攻擊，內(nèi)部系統(tǒng)遭入侵后，驅(qū)動(dòng)編程原文件和韌體超過1TB資料外泄，大量曝光圖片就有尚未發(fā)表的GPU，包括Ada Lovelace、Hopper和Blackwell架構(gòu)。 前幾個(gè)月英偉達(dá)發(fā)表Hopper架構(gòu)和Ada Lovelace架構(gòu)GPU，分別針對數(shù)據(jù)中心和游戲顯卡。照英偉達(dá)技術(shù)改朝換代周期，下一次大概會(huì)是兩年后。接替Hopper架構(gòu)的是Blackwell架構(gòu)，已知有GB100和GB102兩款GPU
集成電路 ，近日，江蘇省、湖北省各自公布了外貿(mào)進(jìn)出口數(shù)據(jù)，其集成電路前11月出口額合計(jì)超2千億元。 江蘇集成電路出口2303.1億元 12月12日，據(jù)南京海關(guān)數(shù)據(jù)，2022年1-11月，江蘇省外貿(mào)進(jìn)出口5萬億元，比去年同期（下同）增長6.7%，占同期我國進(jìn)出口總值的13%。其中，出口3.19萬億元，增長9.6%；進(jìn)口1.81萬億元，增長2%。 從進(jìn)出口地點(diǎn)上看，前11個(gè)月，江蘇省對歐盟
半導(dǎo)體設(shè)備 ，12月12日，盛美上海宣布推出擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的Ultra PmaxTM等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）設(shè)備，拓展了一個(gè)重要的全新產(chǎn)品分類。盛美上海預(yù)計(jì)將在幾周內(nèi)向中國的一家集成電路客戶交付其首臺(tái)PECVD設(shè)備。 盛美上海首席執(zhí)行官王堅(jiān)表示，“Ultra PmaxTM PECVD設(shè)備的推出，標(biāo)志著我們在前道半導(dǎo)體應(yīng)用中進(jìn)一步擴(kuò)展到了全新的工藝領(lǐng)域。我們有很多客戶是28納米及以上的邏輯器件供應(yīng)商。我們預(yù)測到了成熟工藝節(jié)點(diǎn)產(chǎn)能的增加，因?yàn)橹袊袌龅某墒旃に嚬?jié)點(diǎn)產(chǎn)能明
集成電路 IC封裝 半導(dǎo)體材料 ，據(jù)“衢州智造新城”消息，近日，衢州三時(shí)紀(jì)年產(chǎn)24000噸（一期12000噸）高端集成電路封裝和5G通訊球硅填料用新型電子基材產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目開工儀式在智造新城高新片區(qū)舉行。 消息顯示，該項(xiàng)目計(jì)劃總投資10.8億元，用地約114畝，達(dá)產(chǎn)后預(yù)計(jì)可實(shí)現(xiàn)年?duì)I業(yè)收入約20億元。項(xiàng)目的實(shí)施不僅將進(jìn)一步推動(dòng)衢州集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，還將打破高端球硅領(lǐng)域被國外企業(yè)長期壟斷的局面，解決現(xiàn)有材料在5G通訊和先進(jìn)封裝中的技術(shù)缺陷。 據(jù)浙江省人民政府官網(wǎng)建設(shè)項(xiàng)目環(huán)
英特爾、Habana Labs與Hugging Face推動(dòng)Transformer業(yè)務(wù)在訓(xùn)練和推理優(yōu)化及擴(kuò)展取得關(guān)鍵進(jìn)展，在過去的一年中，英特爾、Habana Labs和Hugging Face基于開源項(xiàng)目、集成開發(fā)者體驗(yàn)與科學(xué)研究，不斷提升人工智能應(yīng)用的效率并降低使用門檻，在創(chuàng)建和訓(xùn)練高質(zhì)量Transformer模型上取得了重大進(jìn)展。Transformer模型為包括自然語言處理（NLP）、計(jì)算機(jī)視覺（CV）、語音等在內(nèi)廣泛的機(jī)器學(xué)習(xí)和深度學(xué)習(xí)任務(wù)提供先進(jìn)的性能。大規(guī)模訓(xùn)練這些深度
功率半導(dǎo)體 半導(dǎo)體元器件 氧化鎵 ，近日，第68屆IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM,國際電子器件大會(huì))在美國舊金山召開。IEEE IEDM是一個(gè)年度微電子和納電子學(xué)術(shù)會(huì)議，是報(bào)告半導(dǎo)體和電子器件技術(shù)、設(shè)計(jì)、制造、物理和建模等領(lǐng)域的關(guān)鍵技術(shù)突破的世界頂級論壇，其與ISSCC、VLSI并稱為集成電路和半導(dǎo)體領(lǐng)域的“奧林匹克盛會(huì)”。中國科大國家示范性微電子學(xué)院龍世兵教授課題組兩篇關(guān)于氧化鎵器件的研究論文（高功率氧化鎵肖特基二極管和氧化
集成電路 封裝測試 至純科技 ，近日，多個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目迎來新進(jìn)展，涉及項(xiàng)目包括浙江麗水中欣晶圓12英寸硅片外延項(xiàng)目、西安第三代化合物半導(dǎo)體芯片與器件產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目、國芯RISC-V芯片架構(gòu)總部等12個(gè)集成電路產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目、至純科技加碼半導(dǎo)體濕法設(shè)備模塊及零部件研發(fā)等項(xiàng)目、積塔碳化硅6英寸線等產(chǎn)業(yè)鏈重點(diǎn)項(xiàng)目。 總投資40億，中欣晶圓12英寸硅片外延項(xiàng)目正式竣工投運(yùn) 據(jù)麗水經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)消息，12月9日，浙江
硅晶圓 晶體管 半導(dǎo)體技術(shù) ，傳統(tǒng)集成電路技術(shù)使用平面展開的電子型和空穴型晶體管形成互補(bǔ)結(jié)構(gòu)，從而獲得高性能計(jì)算能力。其密度的提高主要通過縮小單元晶體管的尺寸來實(shí)現(xiàn)。 例如7nm節(jié)點(diǎn)以下業(yè)界使用極紫外光刻技術(shù)實(shí)現(xiàn)高精度尺寸微縮。極紫外光刻設(shè)備復(fù)雜，在現(xiàn)有技術(shù)節(jié)點(diǎn)下能夠大幅提升集成密度的三維疊層互補(bǔ)晶體管(CFET) 技術(shù)價(jià)值凸顯。然而，全硅基CFET的工藝復(fù)雜度高，且性能在復(fù)雜工藝環(huán)境下退化嚴(yán)重。 因此，研發(fā)與我國主流技術(shù)高度兼容的CFET器件與集成，對于自主發(fā)展新
存儲(chǔ)器 江波龍 佰維存儲(chǔ) ，世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)組織（WSTS）統(tǒng)計(jì)的數(shù)據(jù)顯示，2021年全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場規(guī)模約為1538億美元。目前，存儲(chǔ)市場長期被國外巨頭壟斷，三星、美光、SK海力士三大存儲(chǔ)廠商占據(jù)全球近80%的市場份額。而中國盡管作為全球市場規(guī)模最大的集成電路市場，但存儲(chǔ)器產(chǎn)品大部分卻長期依賴進(jìn)口。 近年來，在國產(chǎn)化浪潮趨勢推動(dòng)下，一批國內(nèi)存儲(chǔ)廠商開啟了資本市場之路。 4家廠商IPO進(jìn)展順利
半導(dǎo)體 三星 芯片制造 ，據(jù)新華社報(bào)道，三星（中國）半導(dǎo)體有限公司副總裁徐正賢近日表示，三星半導(dǎo)體西安工廠2022年產(chǎn)值將突破1000億元人民幣，他們對中國市場有信心，將持續(xù)在中國投資。 據(jù)了解，三星（中國）半導(dǎo)體有限公司2012年落戶西安高新區(qū)，是中國改革開放以來引進(jìn)的單筆投資額最大的外商投資項(xiàng)目之一。截至目前，項(xiàng)目總投資高達(dá)270億美元。 報(bào)道引述徐正賢表示，2014年投產(chǎn)的一期項(xiàng)目共投資137億美元，2021年10月滿產(chǎn)的二期項(xiàng)目投資了133億美元，目前還在持
芯片制造 半導(dǎo)體制造 ，據(jù)中國臺(tái)媒報(bào)道，12月9日，代工大廠金寶總經(jīng)理陳威昌在發(fā)說會(huì)上表示，盡管2023年的市場面臨挑戰(zhàn)，但預(yù)期金寶明年的營收仍會(huì)有個(gè)位數(shù)增幅，且因應(yīng)新客戶、新訂單需求，金寶明年將持續(xù)擴(kuò)產(chǎn)，并將以泰國廠擴(kuò)增為主。截止到目前，金寶今年全球的總產(chǎn)能已經(jīng)擴(kuò)增了兩成，預(yù)計(jì)明年產(chǎn)能增幅將大于今年。 據(jù)悉，泰國擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃是金寶明年的擴(kuò)產(chǎn)重心，陳威昌表示，泰國擴(kuò)廠計(jì)劃
晶圓代工 功率半導(dǎo)體 聞泰科技 ，12月9日，聞泰科技發(fā)布公告稱，基于日常業(yè)務(wù)經(jīng)營需要，公司與上海鼎泰匠芯科技有限公司（以下簡稱“鼎泰匠芯”）簽署《合作框架協(xié)議》。此外，鼎泰匠芯是公司控股股東聞天下科技集團(tuán)有限公司（以下簡稱“聞天下”）的控股子公司。 公告指出，雙方確認(rèn)，將在12英寸功率器件和功率IC晶圓的開發(fā)和制造領(lǐng)域開展相關(guān)合作，合同總金額預(yù)計(jì)將達(dá)到68億元人民幣。聞泰科技意向在未來四年期間（即2023年-2026年）向鼎泰匠芯發(fā)出生產(chǎn)訂單，鼎泰匠芯按訂單為聞泰科技代工生產(chǎn)晶圓
晶體管 上海復(fù)旦微電子 MOSFET ，當(dāng)前MOSFET器件的持續(xù)微縮所帶來的功耗問題已經(jīng)成為制約集成電路發(fā)展的主要瓶頸。研發(fā)新原理器件以突破MOSFET亞閾值擺幅（SS）為60mV/dec的室溫極限，是實(shí)現(xiàn)高速度、低功耗CMOS技術(shù)和集成電路的重要途徑。近年來，包括隧穿晶體管（TFET）、負(fù)電容晶體管（NCFET）、冷源晶體管（CSFET）等在內(nèi)的多種器件技術(shù)為實(shí)現(xiàn)陡峭亞閾值擺幅和低功耗器件性能提供了思路。 復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院朱顥研究團(tuán)隊(duì)針對上述晶體管器件技術(shù)的關(guān)鍵需求，與美國國
半導(dǎo)體 IC 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) ，12月9日，航錦科技股份有限公司（以下簡稱“航錦科技”）發(fā)布公告稱，公司于近日與武漢澤森長盛創(chuàng)業(yè)投資基金管理有限公司（以下簡稱“武漢澤森長盛”）及其他投資合作方簽署了《蘇州澤森匯涌創(chuàng)業(yè)投資合伙企業(yè)（有限合伙）合伙協(xié)議》（以下簡稱“合伙協(xié)議”），共同投資蘇州澤森匯涌創(chuàng)業(yè)投資合伙企業(yè)（有限合伙）（以下簡稱“蘇州澤森匯涌”）。 根據(jù)公告，蘇州澤森匯涌投向半導(dǎo)體相關(guān)產(chǎn)業(yè)，注冊認(rèn)繳出資額為人民幣1.32億元，其中武漢澤森長盛認(rèn)繳出資10萬元，系普通合伙人；航錦科技
半導(dǎo)體 半導(dǎo)體設(shè)備 至純科技 ，半導(dǎo)體上市企業(yè)至純科技融資計(jì)劃生變。2021年8月，至純科技宣布擬公開發(fā)行不超11億元可轉(zhuǎn)債，用于單片濕法工藝模塊、核心零部件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目、至純北方半導(dǎo)體研發(fā)生產(chǎn)中心項(xiàng)目、集成電路大宗氣體供應(yīng)站及配套項(xiàng)目以及補(bǔ)充流動(dòng)資金或償還銀行貸款。 12月9日，至純科技披露2022年度非公開發(fā)行A股股票預(yù)案，綜合考慮目前資本市場環(huán)境的變化，結(jié)合公司實(shí)際情況、發(fā)展規(guī)劃等諸多因素，公司計(jì)劃調(diào)整融資方式，決定終止公開發(fā)行A股可轉(zhuǎn)換公司債券事項(xiàng)并撤回申請文件，同時(shí)將
晶上聯(lián)盟搭臺(tái) 產(chǎn)學(xué)研唱戲 開啟中國芯“長征”路，今日，“第五屆軟件定義晶上系統(tǒng)技術(shù)與產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟大會(huì)”隆重舉行。大會(huì)以“攜手共建晶上系統(tǒng)‘芯’時(shí)代”為主題，采用線上直播形式，匯聚了來自中國頂尖高校院所、領(lǐng)軍科技企業(yè)、權(quán)威行業(yè)協(xié)會(huì)和知名創(chuàng)新機(jī)構(gòu)的百余位重磅嘉賓，就軟件定義晶上系統(tǒng)（
三星 英飛凌 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，眾所周知，經(jīng)過多年的發(fā)展布局，中國已經(jīng)成為全球規(guī)模最大的集成電路市場之一。面對中國龐大的市場需求，近年來，一批全球知名的半導(dǎo)體廠商相繼來華投資，或建廠或開設(shè)研發(fā)中心等。三星、SK海力士、英飛凌、英特爾等國際龍頭企業(yè)持續(xù)加大在華產(chǎn)線布局，德國默克則在中國新建先進(jìn)半導(dǎo)體一體化基地。 在內(nèi)外資企業(yè)的共同努力下，中國集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模不斷壯大。有數(shù)據(jù)顯示，2021年中國集成電路全行業(yè)銷售額首次突破萬億元，2018年至2021年復(fù)合增長率為17%，是同期全球增速的3倍多
三星 晶圓代工 SSD固態(tài)硬盤 ，“芯”聞?wù)? MTS2023報(bào)名通道開啟 晶圓代工業(yè)者營收排名 企業(yè)級SSD品牌廠商營收排名 三星首次引進(jìn)本土生產(chǎn)光刻膠 SK海力士DRAM最新研發(fā)成果 存儲(chǔ)芯片封測項(xiàng)目進(jìn)展 1 MTS2023報(bào)名通道開啟 2022年存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)邁入下行周期：高通貨膨脹因素影響下，手
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 服務(wù)器內(nèi)存 金泰克Kimtigo ， 面對數(shù)據(jù)爆發(fā)式增長，企業(yè)存儲(chǔ)在性能、可靠性、能耗等方面存在諸多挑戰(zhàn)。作為國內(nèi)存儲(chǔ)頭部企業(yè)，金泰克在消費(fèi)級存儲(chǔ)領(lǐng)域取得矚目成績的同時(shí)，全線發(fā)力企業(yè)級和工控級市場，引領(lǐng)存儲(chǔ)市場高速發(fā)展。 12月9日，金泰克針對企業(yè)存儲(chǔ)需求，同時(shí)發(fā)布4款企業(yè)級內(nèi)存產(chǎn)品，兼具高效率、高穩(wěn)定、高耐用等特性，為企業(yè)打造高效數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方案。
存儲(chǔ)芯片 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) MLCC ，近日，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈多細(xì)分領(lǐng)域均明顯邁入到庫存調(diào)整周期中，除了少部分較為緊缺的芯片種類（如汽車IGBT）外，為了應(yīng)對消費(fèi)市場的持續(xù)疲軟，減少囤貨清理庫存逐漸成為行業(yè)的主線。 （一）業(yè)界：半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈進(jìn)入庫存調(diào)整期 首先是業(yè)界高盛（Goldman sachs）出具報(bào)告表示上游半導(dǎo)體開始進(jìn)
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