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型號(hào)	下載訂購(gòu)	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
PHB45NQ10T	文件：108.77 Kbytes Page：11 Pages	N-channel TrenchMOS transistor GENERAL DESCRIPTION N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic envelope using ’trench’ technology. FEATURES ? ’Trench’ technology ? Very low on-state resistance ? Fast switching ? Low thermal resistance Applications:- ? d.c. to d.c. converters ? switched mode po 文件：108.77 Kbytes 頁數(shù)：11 Pages	PHI PHI	PHI
PHB45NQ10T	文件：345.07 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 47A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 25mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：345.07 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
PHB45NQ15T	文件：345.19 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 45A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 150V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 42mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：345.19 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
PHB45NQ15T	文件：86.82 Kbytes Page：13 Pages	N-channel TrenchMOS standard level FET General description Standard level N-channel enhancement mode field effect transistor in a plastic package using TrenchMOS? technology. Features ■ Low on-state resistance ■ Fast switching ■ Low thermal resistance ■ Low gate charge. Applications ■ DC-to-DC primary side switching ■ AC-to 文件：86.82 Kbytes 頁數(shù)：13 Pages	PHI PHI	PHI
PHB45NQ15T	文件：193.9 Kbytes Page：13 Pages	N-channel TrenchMOS standard level FET General description Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. Features and benefits ■ Higher ope 文件：193.9 Kbytes 頁數(shù)：13 Pages	恩XP	恩XP
PHB45NQ15T	文件：690.17 Kbytes Page：13 Pages	N-channel TrenchMOS standard level FET 1.1 General description Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. 1.2 Features and benefits H 文件：690.17 Kbytes 頁數(shù)：13 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PHB47NQ10T	文件：205.31 Kbytes Page：13 Pages	N-channel TrenchMOS standard level FET General description Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. Features and benefits ■ Low conduc 文件：205.31 Kbytes 頁數(shù)：13 Pages	恩XP	恩XP
PHB47NQ10T	文件：267.67 Kbytes Page：14 Pages	N-channel enhancement mode field-effect transistor Description N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package using TrenchMOS?1 technology. Features ■ Fast switching ■ Very low on-state resistance. Applications ■ DC to DC converters ■ Switched mode power supplies. 文件：267.67 Kbytes 頁數(shù)：14 Pages	PHI PHI	PHI
PHB47NQ10T	文件：346.04 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 47A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 28mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：346.04 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
PHB47NQ10T	文件：320.32 Kbytes Page：14 Pages	N-channel TrenchMOS standard level FET 1.1 General description Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. 1.2 Features and benefits L 文件：320.32 Kbytes 頁數(shù)：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA

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技術(shù)參數(shù)

Package name：
D2PAK
Product status：
Production
Channel type：
N
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
75
RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)：
9
Tj [max] (°C)：
175
ID [max] (A)：
75
QGD [typ] (nC)：
48.2
QG(tot) [typ] @ VGS = 10 V (nC)：
113.1
Ptot [max] (W)：
230
Qr [typ] (nC)：
270
VGSth [typ] (V)：
3
Automotive qualified：
N
Ciss [typ] (pF)：
4860
Coss [typ] (pF)：
840
Release date：
2011-01-05

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
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