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首頁(yè) >IRFBF20STRL>規(guī)格書(shū)列表

型號(hào)	下載訂購(gòu)	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
IRFBF20STRL	文件：940.9 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs form Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The D2PAK is a surface mount power package capabel of the accommodating die sizes up to HEX-4. It provides 文件：940.9 Kbytes 頁(yè)數(shù)：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFBF20STRLPBF	文件：940.9 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs form Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The D2PAK is a surface mount power package capabel of the accommodating die sizes up to HEX-4. It provides 文件：940.9 Kbytes 頁(yè)數(shù)：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFBF20STRLPBFA	文件：312.93 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET 文件：312.93 Kbytes 頁(yè)數(shù)：11 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFD120	文件：0 bytes Page：0 Pages	DIP-4	IR 國(guó)際整流器上傳：深圳市勤思達(dá)科技有限公司	IR
IRFD120PBF	文件：0 bytes Page：0 Pages	DIP	IR 國(guó)際整流器上傳：深圳市勤思達(dá)科技有限公司	IR

詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IRFBF20STRL
功能描述：
MOSFET N-Chan 900V 1.7 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
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艾睿（深圳）半導(dǎo)體有限公司	IRFBF20STRL	IR	2447	TO-263	100500	一級(jí)代理專營(yíng)品牌!原裝正品,優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨,長(zhǎng)期排單到貨	詢價(jià)
深圳市科雨電子有限公司	IRFBF20STRL	VISHAY	25+	TO-263	3000	就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問(wèn)購(gòu)元件!	詢價(jià)
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更多IRFBF20STRL供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-18 22:58:00

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