啪啪啪视频免费看,天天操天天日天天干,人人靠人人操,免费一级片免费,国产极品人妖ts91热爆,影音先锋资源亚洲在线,五月天综合久久,无卡无码

首頁(yè) >IRFF120>規(guī)格書(shū)列表

型號(hào)	下載訂購(gòu)	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
IRFF120	文件：325.84 Kbytes Page：7 Pages	6.0A, 100V, 0.300 Ohm, N-Channel Power MOSFET 6.0A, 100V, 0.300 Ohm, N-Channel Power MOSFET This N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistor is an advanced power MOSFET designed, tested, and guaranteed to withstand a specified level of energy in the breakdown avalanche mode of operation. All of these power MOSFETs a 文件：325.84 Kbytes 頁(yè)數(shù)：7 Pages	INTERSIL	INTERSIL
IRFF120	文件：165.85 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Power MOS Field-Effect Transistors 5.0A and 6.0A, 60V-100V rDS(0n) = 0.30Ω and 0.40Ω Features: ■ SOA is power-dissipation limited ■ Nanosecond switching speeds ■ Linear transfer characteristics ■ High input impedance ■ Majority carrier device 文件：165.85 Kbytes 頁(yè)數(shù)：5 Pages	GESS	GESS
IRFF120	文件：131.97 Kbytes Page：7 Pages	REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-205AF) Description The HEXFET? technology is the key to International Rectifier’s HiRel advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing of this latest “State of the Art” design achieves: very low on state resistance combined with high trans conductance. The HEXFE 文件：131.97 Kbytes 頁(yè)數(shù)：7 Pages	IRF	IRF
IRFF120	文件：156.74 Kbytes Page：3 Pages	6.0A, 100V, 0.300 Ohm, N-Channel Power MOSFET 6.0A, 100V, 0.300 Ohm, N-Channel Power MOSFET This N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistor is an advanced power MOSFET designed, tested, and guaranteed to withstand a specified level of energy in the breakdown avalanche mode of operation. All of these power MOSFETs a 文件：156.74 Kbytes 頁(yè)數(shù)：3 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體公司	NJSEMI
IRFF120	文件：300 bytes Page：1 Pages	6.0A, 100V, 0.300 Ohm, N-Channel Power MOSFET	Renesas 瑞薩	Renesas
IRFF120	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Power Field-Effect Transistor	GESS	GESS
IRFF120	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFETs and JFETs	TT Electronics	TT Electronics

詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IRFF120
制造商：
International Rectifier
功能描述：
Trans MOSFET N-CH 100V 6A 3-Pin TO-39
功能描述：
TRANS MOSFET N-CH 100V 6A 3PIN TO-39 - Bulk
制造商：
Rochester Electronics LLC
功能描述：
HEXFET, HI-REL - Bulk
功能描述：
N CHANNEL MOSFET 100V 6A TO-
功能描述：
MOSFET, N, TO-39
功能描述：
Single N-Channel 100 V 20 W 18 nC Hexfet Power Mosfet Through Hole - TO-39-3
功能描述：
N CHANNEL MOSFET, 100V, 6A TO-205AF; Transistor
Polarity：
N Channel; Continuous Drain Current
Id：
6A; Drain Source Voltage
Vds：
100V; On Resistance
Rds(on)：
300mohm; Rds(on) Test Voltage
Vgs：
10V; Threshold Voltage Vgs
Typ：
4V ;RoHS
Compliant：
No

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市金宏圖電子科技有限公司	IRFF120	Infineon/英飛凌	22+		892	原裝部份現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	IRFF120	INTERSIL	24+	TO-39	850		詢價(jià)
深圳市弘為電子有限公司	IRFF120	INTERSIL	24+	CAN3	5000	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價(jià)
深圳市鵬和科技有限公司	IRFF120	IR	24+	CN3	5000	只做原裝公司現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳誠(chéng)思涵科技有限公司	IRFF120	HARRIS	18+	CAN3	85600	保證進(jìn)口原裝可開(kāi)17%增值稅發(fā)票	詢價(jià)
深圳市昊創(chuàng)電子有限公司	IRFF120	HARRIS	專業(yè)鐵帽	CAN3	5890	原裝鐵帽專營(yíng),代理渠道量大可訂貨	詢價(jià)
深圳市賽爾通科技有限公司	IRFF120	GE	23+		65480		詢價(jià)
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	IRFF120	HARRIS	專業(yè)鐵帽	CAN3	67500	鐵帽原裝主營(yíng)-可開(kāi)原型號(hào)增稅票	詢價(jià)
深圳市億智騰科技有限公司	IRFF120	HARRIS	24+	CAN3	6430	原裝現(xiàn)貨/歡迎來(lái)電咨詢	詢價(jià)
深圳市澳億芯電子科技有限公司	IRFF120	HAR	25+	TO-39	4	普通	詢價(jià)

更多IRFF120供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-15 17:06:00

詳細(xì)參數(shù)

相關(guān)規(guī)格書(shū)

相關(guān)庫(kù)存