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首頁 >PHB>規(guī)格書列表

型號(hào)	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
PHB21N06LT	文件：112.45 Kbytes Page：11 Pages	N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET GENERAL DESCRIPTION N-channel enhancement mode, logic level, field-effect power transistor in a plastic envelope using ’trench’ technology. FEATURES ? ’Trench’ technology ? Low on-state resistance ? Fast switching ? Logic level compatible Applications: ? d.c. to d.c. co 文件：112.45 Kbytes 頁數(shù)：11 Pages	PHI PHI	PHI
PHB21N06LT	文件：82.44 Kbytes Page：10 Pages	TrenchMOS transistor Logic level FET GENERAL DESCRIPTION N-channel enhancement mode, logic level, field-effect power transistor in a plastic envelope using ’trench’ technology. FEATURES ? ’Trench’ technology ? Low on-state resistance ? Fast switching ? Logic level compatible Applications: ? d.c. to d.c. co 文件：82.44 Kbytes 頁數(shù)：10 Pages	PHI PHI	PHI
PHB21N06LT	文件：344.29 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 19A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 55V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 70mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：344.29 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
PHB21N06LT	文件：233.59 Kbytes Page：12 Pages	N-channel TrenchMOS? transistor Logic level FET FEATURES ? ’Trench’ technology ? Low on-state resistance ? Fast switching ? Logic level compatible GENERAL DESCRIPTION N-channel enhancement mode, logic level, field-effect power transistor in a plastic envelope using ’trench’ technology. Applications:- ? d.c. to d.c. converters ? swi 文件：233.59 Kbytes 頁數(shù)：12 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PHB21N06T	文件：1.32097 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES ? Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition ? Surface Mount ? Available in Tape and Reel ? Dynamic dV/dt Rating ? Logic-Level Gate Drive ? Fast Switching ? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 文件：1.32097 Mbytes 頁數(shù)：9 Pages	VBSEMI 微碧半導(dǎo)體	VBSEMI
PHB21N06T	文件：69.23 Kbytes Page：8 Pages	TrenchMOS transistor Standard level FET GENERAL DESCRIPTION N-channel enhancement mode standard level field-effect power transistor in a plastic envelope suitable for surface mounting. Using ’trench’ technology the device features very low on-state resistance and has integral zener diodes giving ESD protection up to 2kV. It is intended 文件：69.23 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	PHI PHI	PHI
PHB222NQ04LT	文件：93.75 Kbytes Page：13 Pages	N-channel TrenchMOSTM logic level FET Description Logic level N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS? technology. Features ■ Logic level threshold ■ Very low on-state resistance. Applications ■ Motors, lamps, solenoids ■ Uninterruptible power supplies ■ DC-to-DC converters ■ Ge 文件：93.75 Kbytes 頁數(shù)：13 Pages	PHI PHI	PHI
PHB222NQ04LT	文件：345.25 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 75A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 40V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 2.8mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：345.25 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
PHB225NQ04T	文件：344.56 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 75A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 40V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 3.1mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：344.56 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
PHB225NQ04T	文件：93.72 Kbytes Page：13 Pages	N-channel TrenchMOS standard level FET Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS? technology. Features ■ Standard level threshold ■ Very low on-state resistance. Applications ■ Motors, lamps, solenoids ■ Uninterruptible power supplies ■ DC-to-DC converters ■ General ind 文件：93.72 Kbytes 頁數(shù)：13 Pages	PHI PHI	PHI

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技術(shù)參數(shù)

Package name：
D2PAK
Product status：
Production
Channel type：
N
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
75
RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)：
9
Tj [max] (°C)：
175
ID [max] (A)：
75
QGD [typ] (nC)：
48.2
QG(tot) [typ] @ VGS = 10 V (nC)：
113.1
Ptot [max] (W)：
230
Qr [typ] (nC)：
270
VGSth [typ] (V)：
3
Automotive qualified：
N
Ciss [typ] (pF)：
4860
Coss [typ] (pF)：
840
Release date：
2011-01-05

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市粵科源興科技有限公司	PHB2166YBIHP	PH	07+	BGA	17		詢價(jià)
諦輝(北京/上海/青島 )電子科技有限公司	PHB160N03T	PHI	25+	TO252-2.5	18000	原廠直接發(fā)貨進(jìn)口原裝	詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	PHBK2125HS121--T		24+		3000	公司存貨	詢價(jià)
深圳市毅創(chuàng)騰電子科技有限公司	PHB95N03LT	PHI	23+	TO263	7000	絕對(duì)全新原裝!100%保質(zhì)量特價(jià)!請(qǐng)放心訂購!	詢價(jià)
芯有半導(dǎo)體（深圳）有限公司	PHB69N03LT	PHI	05+	原廠原裝	32851	只做全新原裝真實(shí)現(xiàn)貨供應(yīng)	詢價(jià)
深圳市勤思達(dá)科技有限公司	PHB110NQ08T	恩XP	12+	TO-263	15000	全新原裝,絕對(duì)正品,公司現(xiàn)貨供應(yīng)。	詢價(jià)
深圳市卓越微芯電子有限公司	PHB55N03LTA	PHI	25+	TO-263	157	百分百原裝正品真實(shí)公司現(xiàn)貨庫存本公司只做原裝可	詢價(jià)
齊創(chuàng)科技(上海,北京,青島)有限公司	PHB69N03LT	P	23+	TO-263	5000	原裝正品,假一罰十	詢價(jià)
深圳市恒創(chuàng)達(dá)實(shí)業(yè)有限公司	PHB21N06L	PHI	17+	TO-263	6200		詢價(jià)
深圳市利加科技有限公司	PHB95N03LT	PHI	16+	NA	8800	原裝現(xiàn)貨,貨真價(jià)優(yōu)	詢價(jià)

更多PHB供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-22 9:01:00

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