12一15女人a毛片13,久久久久久久久久久高清毛片一级,豆花视频成人入口网站,一本视频无码视频,国产美女被操网站,天天射天天色综合网,91小仙女jK白丝袜呻吟,九九成人电影www

<thead id="6dxzi"><s id="6dxzi"></s></thead>

<strike id="6dxzi"><object id="6dxzi"><label id="6dxzi"></label></object></strike>

<track id="6dxzi"><b id="6dxzi"></b></track>

<th id="6dxzi"><input id="6dxzi"></input></th>

<i id="6dxzi"><nobr id="6dxzi"></nobr></i>

首頁 >PHB>規(guī)格書列表

型號(hào)	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
PHB23NQ10T	文件：99.37 Kbytes Page：12 Pages	N-channel TrenchMOS transistor GENERAL DESCRIPTION N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic envelope using ’trench’ technology. FEATURES ? ’Trench’ technology ? Low on-state resistance ? Fast switching ? Low thermal resistance Applications:- ? d.c. to d.c. converters ? switched mode power s 文件：99.37 Kbytes 頁數(shù)：12 Pages	PHI PHI	PHI
PHB23NQ10T	文件：345.09 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 23A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 72mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：345.09 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
PHB23NQ15T	文件：344.95 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 23A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 150V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 90mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：344.95 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
PHB23NQ15T	文件：99.04 Kbytes Page：9 Pages	N-channel TrenchMOS transistor VDSS = 150 V ID = 23 A RDS(ON) ≤ 90 m? GENERAL DESCRIPTION N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic envelope using ’trench’ technology. The device has very low on-state resistance. It is intended for use in dc to dc converters and general purpose switchin 文件：99.04 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages	PHI PHI	PHI
PHB24N03LT	文件：54.87 Kbytes Page：6 Pages	TrenchMOS transistor Logic level FET GENERAL DESCRIPTION N-channel enhancement mode logic level field-effect power transistor in a plastic envelope using ’trench’ technology. The device has very low on-state resistance. It is intended for use in dc to dc converters and general purpose switching applications. The PHP24N03LT is supp 文件：54.87 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	PHI PHI	PHI
PHB24N03LT	文件：345.22 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 24A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 30V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 50mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：345.22 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
PHB24N03T	文件：61.82 Kbytes Page：7 Pages	TrenchMOS transistor Standard level FET GENERAL DESCRIPTION N-channel enhancement mode standard level field-effect power transistor in a plastic envelope suitable for surface mounting using ’trench’ technology. The device features very low on-state resistance and has integral zener diodes giving ESD protection up to 2kV. It is intended 文件：61.82 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	PHI PHI	PHI
PHB27NQ10T	文件：895.51 Kbytes Page：12 Pages	N-channel TrenchMOS standard level FET 1.1 General description Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. 1.2 Features and benefits ? 文件：895.51 Kbytes 頁數(shù)：12 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PHB27NQ10T	文件：115.89 Kbytes Page：12 Pages	N-channel TrenchMOS transistor GENERAL DESCRIPTION N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic envelope using ’trench’ technology. FEATURES ? ’Trench’ technology ? Low on-state resistance ? Fast switching ? Low thermal resistance Applications:- ? d.c. to d.c. converters ? switched mode power s 文件：115.89 Kbytes 頁數(shù)：12 Pages	PHI PHI	PHI
PHB27NQ10T	文件：303.53 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor ·DESCRIPTION ·Drain Current ID= 28A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 50mΩ(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation ·APPLICATIONS ·General purpose 文件：303.53 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC

<<<5 6 7 8 91011 12 13 14 15 >>>

技術(shù)參數(shù)

Package name：
D2PAK
Product status：
Production
Channel type：
N
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
75
RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)：
9
Tj [max] (°C)：
175
ID [max] (A)：
75
QGD [typ] (nC)：
48.2
QG(tot) [typ] @ VGS = 10 V (nC)：
113.1
Ptot [max] (W)：
230
Qr [typ] (nC)：
270
VGSth [typ] (V)：
3
Automotive qualified：
N
Ciss [typ] (pF)：
4860
Coss [typ] (pF)：
840
Release date：
2011-01-05

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市卓越微芯電子有限公司	PHB55N03LTA	PHI	25+	TO-263	157	百分百原裝正品真實(shí)公司現(xiàn)貨庫存本公司只做原裝可	詢價(jià)
上海鑫科潤電子科技有限公司	PHB50N03LT	PHI	01+	TO220	389	原裝現(xiàn)貨海量庫存歡迎咨詢	詢價(jià)
深圳市凌旭科技有限公司	PHB21N06LT	恩XP	2016+	TO-263	3000	只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票!	詢價(jià)
深圳和潤天下電子科技有限公司	PHB27NQ10T,118	NEXPERIA/安世	SOT404	23+	48000	授權(quán)代理/原廠FAE技術(shù)支持	詢價(jià)
深圳市粵駿騰電子科技有限公司	PHB25201T-2R2JS/PSB25201T2R2JSR	乾坤	24+	2520	10952	全新原裝數(shù)量均有多電話咨詢	詢價(jià)
深圳市博中泰實(shí)業(yè)有限公司	PHB96NQ03LT低壓MOS管	VBSEMI/臺(tái)灣微碧	24+	D2-PAK	60000		詢價(jià)
上海磐岳電子有限公司	PHB98N03LT	PHI	2023+	TO-263	5800	進(jìn)口原裝,現(xiàn)貨熱賣	詢價(jià)
深圳市華來深電子有限公司	PHB25201T-2R2MSR	CYNTEY	23+	SMD	8650	受權(quán)代理!全新原裝現(xiàn)貨特價(jià)熱賣!	詢價(jià)
深圳市華康聯(lián)電子科技有限公司	PHB45NQ15T	Nexperia	25+	N/A	20000		詢價(jià)
深圳市眾芯源半導(dǎo)體有限公司	PHB45NQ15T	恩XP	25+	N/A	6000	現(xiàn)貨	詢價(jià)

更多PHB供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-22 13:57:00

<thead id="6dxzi"><s id="6dxzi"></s></thead>

<strike id="6dxzi"><object id="6dxzi"><label id="6dxzi"></label></object></strike>

<track id="6dxzi"><b id="6dxzi"></b></track>

<th id="6dxzi"><input id="6dxzi"></input></th>

<i id="6dxzi"><nobr id="6dxzi"></nobr></i>

中文字幕不卡在线播放 | 亚洲综合狼人 | 亚洲成人免费高清无码 | 成人午夜精品无码区久久app | 免费国产黄色视频 | 伊人大鸡巴 | 丁香五月综合激清 | 国产区99精品 | 91 国产爽黄在线相亲 | 青娱乐自拍 |