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首頁(yè) >PHB>規(guī)格書(shū)列表

型號(hào)	下載訂購(gòu)	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
PHB160NQ08T	文件：345.3 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 75A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 75V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 5.6mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：345.3 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages	ISC 無(wú)錫固電	ISC
PHB174NQ04LT	文件：344.93 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 75A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 40V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 4mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：344.93 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages	ISC 無(wú)錫固電	ISC
PHB176NQ04T	文件：345.34 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 75A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 40V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 4.3mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：345.34 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages	ISC 無(wú)錫固電	ISC
PHB18NQ10T	文件：908.48 Kbytes Page：12 Pages	N-channel TrenchMOS standard level FET 1.1 General description Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. 1.2 Features and benefits ? 文件：908.48 Kbytes 頁(yè)數(shù)：12 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PHB18NQ10T	文件：345.19 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 18A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 90mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：345.19 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages	ISC 無(wú)錫固電	ISC
PHB18NQ10T	文件：121.81 Kbytes Page：12 Pages	N-channel TrenchMOS transistor GENERAL DESCRIPTION N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic envelope using ’trench’ technology. FEATURES ? ’Trench’ technology ? Low on-state resistance ? Fast switching ? Low thermal resistance Applications:- ? d.c. to d.c. converters ? switched mode power s 文件：121.81 Kbytes 頁(yè)數(shù)：12 Pages	PHI PHI	PHI
PHB18NQ20T	文件：96.23 Kbytes Page：9 Pages	N-channel TrenchMOS transistor GENERAL DESCRIPTION N-channel, enhancement mode field-effect power transistor using Trench technology, intended for use in off-line switched mode power supplies, T.V. and computer monitor power supplies, d.c. to d.c. converters, motor control circuits and general purpose switching applications. 文件：96.23 Kbytes 頁(yè)數(shù)：9 Pages	PHI PHI	PHI
PHB18NQ20T	文件：345.56 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 16A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 200V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.18Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：345.56 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages	ISC 無(wú)錫固電	ISC
PHB191NQ06LT	文件：215.34 Kbytes Page：13 Pages	N-channel TrenchMOS logic level FET General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. Features and benefits ■ Low conductio 文件：215.34 Kbytes 頁(yè)數(shù)：13 Pages	恩XP	恩XP
PHB191NQ06LT	文件：345 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 75A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 55V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 3.7mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：345 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages	ISC 無(wú)錫固電	ISC

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技術(shù)參數(shù)

Package name：
D2PAK
Product status：
Production
Channel type：
N
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
75
RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)：
9
Tj [max] (°C)：
175
ID [max] (A)：
75
QGD [typ] (nC)：
48.2
QG(tot) [typ] @ VGS = 10 V (nC)：
113.1
Ptot [max] (W)：
230
Qr [typ] (nC)：
270
VGSth [typ] (V)：
3
Automotive qualified：
N
Ciss [typ] (pF)：
4860
Coss [typ] (pF)：
840
Release date：
2011-01-05

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市粵科源興科技有限公司	PHB2166YBIHP	PH	07+	BGA	17		詢(xún)價(jià)
諦輝(北京/上海/青島 )電子科技有限公司	PHB160N03T	PHI	25+	TO252-2.5	18000	原廠直接發(fā)貨進(jìn)口原裝	詢(xún)價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	PHBK2125HS121--T		24+		3000	公司存貨	詢(xún)價(jià)
深圳市毅創(chuàng)騰電子科技有限公司	PHB95N03LT	PHI	23+	TO263	7000	絕對(duì)全新原裝!100%保質(zhì)量特價(jià)!請(qǐng)放心訂購(gòu)!	詢(xún)價(jià)
芯有半導(dǎo)體（深圳）有限公司	PHB69N03LT	PHI	05+	原廠原裝	32851	只做全新原裝真實(shí)現(xiàn)貨供應(yīng)	詢(xún)價(jià)
深圳市勤思達(dá)科技有限公司	PHB110NQ08T	恩XP	12+	TO-263	15000	全新原裝,絕對(duì)正品,公司現(xiàn)貨供應(yīng)。	詢(xún)價(jià)
深圳市卓越微芯電子有限公司	PHB55N03LTA	PHI	25+	TO-263	157	百分百原裝正品真實(shí)公司現(xiàn)貨庫(kù)存本公司只做原裝可	詢(xún)價(jià)
齊創(chuàng)科技(上海,北京,青島)有限公司	PHB69N03LT	P	23+	TO-263	5000	原裝正品,假一罰十	詢(xún)價(jià)
深圳市恒創(chuàng)達(dá)實(shí)業(yè)有限公司	PHB21N06L	PHI	17+	TO-263	6200		詢(xún)價(jià)
深圳市利加科技有限公司	PHB95N03LT	PHI	16+	NA	8800	原裝現(xiàn)貨,貨真價(jià)優(yōu)	詢(xún)價(jià)

更多PHB供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-22 9:01:00

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