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IRF1503LPBF	文件：253.75 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET Power MOSFET Description This Stripe Planar design of HEXFET? Power MOSFETs utilizes the lastest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this HEXFET power MOSFET are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetiti 文件：253.75 Kbytes 頁數(shù)：11 Pages	IRF	IRF
IRF1503LPBF	文件：336.52 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology 文件：336.52 Kbytes 頁數(shù)：11 Pages	IRF	IRF
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更多IRF1503L供應(yīng)商更新時間2026-1-21 16:07:00