首頁 >IRF1902TRPBF>規(guī)格書列表
| 型號 | 下載 訂購 | 功能描述 | 制造商 上傳企業(yè) | LOGO |
|---|---|---|---|---|
IRF1902TRPBF | Ultra Low On-Resistance Description These N-Channel HEXFET? power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the extremely low on-resistance per silicon area. This benefit provides the designer with an extremely efficient device for use in battery and load management applicati 文件:139.79 Kbytes 頁數(shù):9 Pages | IRF | IRF | |
IRF1902TRPBF | N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Features ? VDS= 20V, ID= 12 A RDS(ON) 文件:1.28434 Mbytes 頁數(shù):5 Pages | BYCHIP 百域芯 | BYCHIP | |
HEXFET Power MOSFET 文件:187.62 Kbytes 頁數(shù):8 Pages | IRF | IRF | ||
HEXFET? Power MOSFET 文件:197.07 Kbytes 頁數(shù):8 Pages | IRF | IRF | ||
GENERATION V TECHNOLOGY 文件:197.07 Kbytes 頁數(shù):8 Pages | IRF | IRF |
詳細(xì)參數(shù)
- 型號:
IRF1902TRPBF
- 功能描述:
MOSFET MOSFT 20V 4.2A 85mOhm 5nC
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風(fēng)格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
25+ |
SOP-8 |
35597 |
IR全新特價(jià)IRF1902TRPBF即刻詢購立享優(yōu)惠#長期有貨 |
詢價(jià) | ||
IR |
08+ |
SOP8 |
3300 |
全新原裝現(xiàn)貨100真實(shí)自己公司 |
詢價(jià) | ||
IOR |
24+ |
SOP |
1200 |
詢價(jià) | |||
IR |
17+ |
SO8 |
6200 |
100%原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
SO8 |
60000 |
原裝正品,假一罰十 |
詢價(jià) | ||
IOR |
25+ |
PLCC |
18000 |
原廠直接發(fā)貨進(jìn)口原裝 |
詢價(jià) | ||
IRF |
25+ |
SOP-8 |
5248 |
百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可 |
詢價(jià) | ||
IR |
24+ |
SOP-8 |
5000 |
全現(xiàn)原裝公司現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
IR |
20+ |
SOP-8 |
2960 |
誠信交易大量庫存現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
International Rectifier |
2022+ |
1 |
全新原裝 貨期兩周 |
詢價(jià) |
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