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|---|---|---|---|---|
IRF2204SPBF | HEXFET? Power MOSFET ( VDSS = 40V , RDS(on) = 3.6m廓 , ID = 170A ) Description This HEXFET? Power MOSFET utilizes the lastest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These features 文件：256.45 Kbytes 頁(yè)數(shù)：12 Pages | IRF | IRF | |
IRF2204SPBF | Advanced Process Technology 文件：329.36 Kbytes 頁(yè)數(shù)：11 Pages | IRF | IRF | |
Advanced Process Technology 文件：329.36 Kbytes 頁(yè)數(shù)：11 Pages | IRF | IRF | ||
Dual Low Side 文件：220.58 Kbytes 頁(yè)數(shù)：10 Pages | IXYS 艾賽斯 | IXYS | ||
Dual Low Side 文件：220.58 Kbytes 頁(yè)數(shù)：10 Pages | IXYS 艾賽斯 | IXYS | ||
Dual Low Side 文件：220.58 Kbytes 頁(yè)數(shù)：10 Pages | IXYS 艾賽斯 | IXYS |
詳細(xì)參數(shù)
- 型號(hào)：
IRF2204SPBF
- 功能描述：
MOSFET MOSFT 40V 170A 3.6mOhm 130nC
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飛凌 |
25+ |
TO-263 |
32360 |
INFINEON/英飛凌全新特價(jià)IRF2204SPBF即刻詢購(gòu)立享優(yōu)惠#長(zhǎng)期有貨 |
詢價(jià) | ||
IR |
0826+ |
TO-263 |
34 |
上傳都是百分之百進(jìn)口原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
IR |
24+ |
TO-263 |
139 |
詢價(jià) | |||
Infineon |
24+ |
NA |
3000 |
進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢(shì)供應(yīng) |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
TO-263 |
11846 |
一級(jí)代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十 |
詢價(jià) | ||
IR |
25+ |
TO-263 |
90000 |
一級(jí)代理商進(jìn)口原裝現(xiàn)貨、價(jià)格合理 |
詢價(jià) | ||
International Rectifier |
2022+ |
1 |
全新原裝 貨期兩周 |
詢價(jià) | |||
VBsemi/臺(tái)灣微碧 |
25+ |
D2PAK |
30000 |
代理全新原裝現(xiàn)貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì) |
詢價(jià) | ||
Infineon(英飛凌) |
2447 |
D2PAK |
115000 |
1000個(gè)/管一級(jí)代理專營(yíng)品牌!原裝正品,優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨,長(zhǎng) |
詢價(jià) | ||
INFINEON |
25+ |
TO-263 |
1675 |
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詢價(jià) |
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