功率半導(dǎo)體發(fā)展如火如荼,國(guó)產(chǎn)企業(yè)有望彎道超車(chē)
來(lái)源:全球半導(dǎo)體觀(guān)察, 功率半導(dǎo)體發(fā)展如火如荼,伴隨著5G、物聯(lián)網(wǎng)、新能源等行業(yè)的迅速發(fā)展,具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場(chǎng)、熱導(dǎo)率、電子飽和速率及抗輻射能力的SiC(碳化硅)、GaN(氮化鎵)等為代表的第三代半導(dǎo)體材料進(jìn)入快速發(fā)展階段,功率半導(dǎo)體正從傳統(tǒng)硅基功率器件IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)、MOSFET(金氧半場(chǎng)效晶體管),走向以SiC和GaN為代


























