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首頁 >MRF10031>規(guī)格書列表

型號(hào)	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
MRF10031	文件：195.44 Kbytes Page：5 Pages	Microwave Power Silicon NPN Transistor Microwave Power Silicon NPN Transistor Description and Applications Designed for 960–1215 MHz long or short pulse common base amplifier applications such as JTIDS and Mode–S transmitters. Features ? Guaranteed performance @ 960-1215MHz, 36Vdc ? Output power: 30W peak ? Minimum gain: 9.0dB min., 9.5dB typ. ? 100 tested for load mi 文件：195.44 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	MA-COM	MA-COM
MRF10031	文件：101.2 Kbytes Page：4 Pages	MICROWAVE POWER TRANSISTOR Designed for 960–1215 MHz long or short pulse common base amplifier applications such as JTIDS and Mode–S transmitters. ? Guaranteed Performance @ 960 MHz, 36 Vdc Output Power = 30 Watts Peak Minimum Gain = 9.0 dB Min (9.5 dB Typ) ? 100 Tested for Load Mismatch at All Phase Angles with 文件：101.2 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	MOTOROLA 摩托羅拉	MOTOROLA
MRF10031	文件：163.59 Kbytes Page：4 Pages	MICROWAVE POWER TRANSISTOR NPN SILICON Designed for 960–1215 MHz long or short pulse common base amplifier applications such as JTIDS and Mode–S transmitters. ? Guaranteed Performance @ 960 MHz, 36 Vdc Output Power = 30 Watts Peak Minimum Gain = 9.0 dB Min (9.5 dB Typ) ? 100 Tested for Load Mismatch at All Phase Angles with 文件：163.59 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	MACOM	MACOM
MRF10031	文件：157.34 Kbytes Page：2 Pages	Microwave Long Pulse Power Transistor Designed for 960–1215 MHz long or short pulse common base amplifier applications such as JTIDS and Mode–S transmitters. ? Guaranteed Performance @ 960 MHz, 36 Vdc Output Power = 30 Watts Peak Minimum Gain = 9.0 dB Min (9.5 dB Typ) ? 100 Tested for Load Mismatch at All Phase Angles with 文件：157.34 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體公司	NJSEMI
MRF10031	文件：195.44 Kbytes Page：5 Pages	Microwave Power Silicon NPN Transistor 文件：195.44 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	MA-COM	MA-COM
MRF10031	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：332A-03；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻描述：RF TRANS NPN 55V 332A-03	MACOM Technology Solutions	MACOM Technology Solutions
MRF10031_15	文件：195.44 Kbytes Page：5 Pages	Microwave Power Silicon NPN Transistor 文件：195.44 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	MA-COM	MA-COM
MRF10031_17	文件：642.83 Kbytes Page：6 Pages	Microwave Power Silicon NPN Transistor 文件：642.83 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	MA-COM	MA-COM

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號(hào)：
MRF10031
制造商：
MACOM Technology Solutions
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
晶體管類型：
NPN
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：
55V
增益：
9.5dB
功率 - 最大值：
30W
不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 500mA，5V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：
3A
工作溫度：
200°C（TJ）
安裝類型：
底座安裝
封裝/外殼：
332A-03
供應(yīng)商器件封裝：
332A-03，2 型
描述：
RF TRANS NPN 55V 332A-03

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
千層芯半導(dǎo)體(深圳)有限公司	MRF10031	MINI	24+	SMD	3600	MINI專營品牌全新原裝正品假一賠十	詢價(jià)
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更多MRF10031供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-20 16:54:00

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