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型號(hào)	下載訂購(gòu)	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
IRFR010	文件：1.67749 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION The Power MOSFET technology is the key to Vishay’s advanced line of Power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing of this latest “State of the Art” design achieves: very low on-state resistance combined with high transconductance; superior reverse energy and d 文件：1.67749 Mbytes 頁(yè)數(shù)：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFR010	文件：325.95 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET FEATURES ? Low drive current ? Surface-mount ? Fast switching ? Ease of paralleling ? Excellent temperature stability ? Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION The power MOSFET technology is the key to Vishay’s advanced lin 文件：325.95 Kbytes 頁(yè)數(shù)：11 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFR010	文件：287.41 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：287.41 Kbytes 頁(yè)數(shù)：5 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
IRFR010	文件：275.94 Kbytes Page：8 Pages	AVALANCHE AND dv/dt RATED 文件：275.94 Kbytes 頁(yè)數(shù)：8 Pages	IRF	IRF
IRFR010_V01	文件：325.95 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET FEATURES ? Low drive current ? Surface-mount ? Fast switching ? Ease of paralleling ? Excellent temperature stability ? Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION The power MOSFET technology is the key to Vishay’s advanced lin 文件：325.95 Kbytes 頁(yè)數(shù)：11 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFR010PBF	文件：4.60859 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION The Power MOSFET technology is the key to Vishay’s advanced line of Power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing of this latest “State of the Art” design achieves: very low on-state resistance combined with high transconductance; superior reverse energy and d 文件：4.60859 Mbytes 頁(yè)數(shù)：8 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRFR010PBF	文件：1.67749 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION The Power MOSFET technology is the key to Vishay’s advanced line of Power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing of this latest “State of the Art” design achieves: very low on-state resistance combined with high transconductance; superior reverse energy and d 文件：1.67749 Mbytes 頁(yè)數(shù)：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFR012	文件：275.94 Kbytes Page：8 Pages	AVALANCHE AND dv/dt RATED 文件：275.94 Kbytes 頁(yè)數(shù)：8 Pages	IRF	IRF
IRFR014	文件：892.51 Kbytes Page：13 Pages	Power MOSFET FEATURES ? Dynamic dV/dt rating ? Surface-mount (IRFR014, SiHFR014) ? Straight lead (IRFU014, SiHFU014) ? Available in tape and reel ? Fast switching ? Ease of paralleling ? Simple drive requirements ? Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99 文件：892.51 Kbytes 頁(yè)數(shù)：13 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFR014	文件：172.07 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET(Vdss = 60 V, Rds(on) = 0.20 Ohm, Id= 7.7A) Description Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The D-Pak is designed for surface mounting using vapor phase, infrared, or wave soldering techni 文件：172.07 Kbytes 頁(yè)數(shù)：6 Pages	IRF	IRF

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技術(shù)參數(shù)

OPN：
IRFR024NTRLPBF/IRFR024NTRPBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
DPAK/DPAK
VDS max：
55 V
RDS (on) @10V max：
75 m?/75 m?
ID @25°C max：
17 A/17 A
QG typ @10V：
13.3 nC/13.3 nC
Polarity：
N
VGS(th) min：
2 V/2 V
VGS(th) max：
4 V/4 V
VGS(th)：
3 V/3 V
Technology：
IR MOSFET?/IR MOSFET?

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市河鋒鑫科技有限公司	IRFR	IR	22+	SOT-252	6000	終端可免費(fèi)供樣,支持BOM配單	詢(xún)價(jià)
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	IRFR	IR	23+	SOT-252	8000	專(zhuān)注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨	詢(xún)價(jià)
天津市博通航睿技術(shù)有限公司	IRFR	IR	23+	SOT-252	7000		詢(xún)價(jià)
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更多IRFR供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-21 14:00:00

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