三菱電機將與安世攜手開發(fā)SiC功率半導(dǎo)體
三菱電機將與安世攜手開發(fā)SiC功率半導(dǎo)體, 11月,日本三菱電機、安世半導(dǎo)體(Nexperia)宣布,將聯(lián)合開發(fā)高效的碳化硅(SiC)MOSFET分立產(chǎn)品功率半導(dǎo)體。雙方將聯(lián)手開發(fā),將促進SiC寬禁帶半導(dǎo)體的能效和性能提升至新高度,同時滿足對高效分立式功率半導(dǎo)體快速增長的需求。 目前芯

三菱電機將與安世攜手開發(fā)SiC功率半導(dǎo)體, 11月,日本三菱電機、安世半導(dǎo)體(Nexperia)宣布,將聯(lián)合開發(fā)高效的碳化硅(SiC)MOSFET分立產(chǎn)品功率半導(dǎo)體。雙方將聯(lián)手開發(fā),將促進SiC寬禁帶半導(dǎo)體的能效和性能提升至新高度,同時滿足對高效分立式功率半導(dǎo)體快速增長的需求。 目前芯

鼎陽科技:擬1.8億元投建馬來西亞生產(chǎn)基地,并設(shè)項目公司, 鼎陽科技11月24日公告,公司計劃投資1.8億元人民幣,建設(shè)馬來西亞生產(chǎn)基地,項目建設(shè)分二期實施,一期投資1895.02萬元,二期投資1.61億元。公司擬設(shè)立全資子公司鼎陽科技(馬)有限公司,具體負責(zé)項目的實施。 馬來西亞全資

佰維存儲:擬定增募資建設(shè)的晶圓級先進封測項目可構(gòu)建HBM實現(xiàn)的封裝技術(shù)基礎(chǔ), 佰維存儲近日在接受調(diào)研時表示,公司擬定增募資建設(shè)的晶圓級先進封測項目可以構(gòu)建HBM實現(xiàn)的封裝技術(shù)基礎(chǔ)。 公司掌握16層疊Die、30~40μm超薄Die、多芯片異構(gòu)集成等先進封裝工藝,為NAND Flash芯

86億歐元,國巨正式完成對施耐德工業(yè)傳感器部門收購 , 11月24日消息,據(jù)中國臺灣媒體財經(jīng)新報報道,中國臺灣地區(qū)被動元件供應(yīng)商國巨公司(YAGEO)日前宣布,已于2023年11月1日完成對法國施耐德工業(yè)傳感器部門(TelemecaniqueSensors)的收購。 據(jù)悉,國巨公司在2

微縮工藝加碼、先進封裝助力,芯片制造圈奮力應(yīng)對算力挑戰(zhàn),AI快速走熱的這一年多來,不斷增長的算力需求對本就陷入瓶頸的芯片制程技術(shù)帶來了挑戰(zhàn)。微縮工藝可以通過不斷縮小晶體管尺寸來提高芯片集成度和性能,但隨著制程技術(shù)越來越接近物理極限,微縮工藝的發(fā)展空間越來越小。Chiplet等先進封裝技術(shù),可以通過將多個芯片集成在一起提高算力和性能,同時還可以降低成本和功耗。因此,在AI

“大”建“小”用,榜樣先用,中小企業(yè)數(shù)字化轉(zhuǎn)型并不難,走進合肥中辰輕工機械有限公司(以下簡稱“中辰輕機”)的生產(chǎn)車間,記者看到,一線工人在工作中已經(jīng)完全擺脫了紙質(zhì)生產(chǎn)圖紙。“我們通過MES系統(tǒng)的上線運營,優(yōu)化了技術(shù)資料傳遞、生產(chǎn)計劃下發(fā)、零件加工進出站報工、誤差檢測、技術(shù)迭代等一系列生產(chǎn)流程,極大提高了生產(chǎn)系統(tǒng)的工作效率。”中辰輕機企管部部長杜玲告訴《中國電

東芝通過私有化提案,即將從東京證券交易所退市, 東芝官網(wǎng)消息,近期東芝公司股東在特別股東大會上通過公司私有化提案,該公司將于12月20日從東京證券交易所退市。 資料顯示,東芝是日本制造業(yè)代表廠商之一,2021年11月東芝對外宣布進行戰(zhàn)略重組,計劃在2024年3月之前原東芝集團將拆分為三間獨立公司,分別專注于基礎(chǔ)設(shè)施、電子設(shè)備和半導(dǎo)體,其中,分拆后的半導(dǎo)體公司將由東芝所持有的鎧俠和東芝科技公司組成。

兩家國內(nèi)存儲廠商談行業(yè)前景, 當(dāng)前,存儲芯片價格漸漲,引來業(yè)界關(guān)注,針對行業(yè)復(fù)蘇問題,近期國內(nèi)存儲廠商向外發(fā)表了看法。 佰維存儲:供過于求局面已大大緩解 近日,佰維存儲在接受機構(gòu)調(diào)研時表示,公司擬定增募資建設(shè)的晶圓級先進封測項目可以構(gòu)建HBM實現(xiàn)的封裝技術(shù)基礎(chǔ)。公司在存儲芯片封測領(lǐng)域有深厚的積累,已構(gòu)建完整的、國際化的先進封測技術(shù)團隊,該項目有利

高通、英偉達、AMD、特斯拉等先進制程芯片,花落誰家?, 蘋果、英偉達、AMD、高通和聯(lián)發(fā)科等都采用臺積電半導(dǎo)體制程生產(chǎn)最新芯片,部分芯片可能采用三星晶圓代工,但通常不是旗艦。 隨著三星過去幾個月良率提升,三星非常希望拿下部分訂單,例如3納米GAA制程。 之前市場消息,高通Snapdragon 8 Gen 4可能采用雙代工廠策略,也就是同時采用臺積電的N3E制程技術(shù)和三星的SF3E制程技術(shù)。不過,

最新盤點,半導(dǎo)體行業(yè)投融資情況如何?,時間來到11月下旬,隨著下游部分需求變動,半導(dǎo)體行業(yè)景氣度正緩慢回升,這從行業(yè)的投融資動態(tài)中也可見一斑。 據(jù)全球半導(dǎo)體觀察不完全統(tǒng)計,今年10月以來,半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)生了近40起融資事件,其中存儲芯片、MEMS傳感器芯片、車規(guī)級芯片、第三代半導(dǎo)體、半導(dǎo)體材料/設(shè)備等賽道正受資本青睞,涉及企業(yè)包括時創(chuàng)意、中瓷電子、云途半導(dǎo)體、歐冶半導(dǎo)體、類比半導(dǎo)體、康芯威、忱芯科技等。

據(jù)江蘇美陽官微消息,11月21日,江蘇美陽年產(chǎn)10萬噸集成電路用高純化學(xué)品項目正式開工奠基。, 據(jù)江蘇美陽官微消息,11月21日,江蘇美陽年產(chǎn)10萬噸集成電路用高純化學(xué)品項目正式開工奠基。 江蘇美陽電子材料有限公司相關(guān)負責(zé)人表示,項目總投資5億元,建設(shè)智能化流水線、總控室、純化及混配車間、倉庫、儲罐區(qū)等公用工程,購置分離純化裝置、自動灌裝機和洗瓶機、純水系統(tǒng)、檢測儀器、環(huán)保安全等配套設(shè)施,共計600

11月22日,半導(dǎo)體IDM公司士蘭微發(fā)布向特定對象發(fā)行股票發(fā)行情況報告書,公司完成發(fā)行2.48億股公司股份,發(fā)行價為20元/股,募集資金總額49.60億元,募集資金凈額約49.13億元。, 11月22日,半導(dǎo)體IDM公司士蘭微發(fā)布向特定對象發(fā)行股票發(fā)行情況報告書,公司完成發(fā)行2.48億股公司股份,發(fā)行價為20元/股,募集資金總額49.60億元,募集資金凈額約49.13億元。 士蘭微是專業(yè)從事集成電路

萬億半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)重鎮(zhèn)強勢崛起,中國臨港國際半導(dǎo)體大會上大咖們都說了啥?, 2023年11月23日,第三屆中國臨港國際半導(dǎo)體大會在上海臨港雅辰酒店成功舉辦,本次會議由上海臨港經(jīng)濟發(fā)展(集團)有限公司主辦,臨港科技、ASPENCORE承辦,以“創(chuàng)芯未來 共筑生態(tài)”為主題,與行業(yè)內(nèi)外各界人士共同探討半導(dǎo)體的發(fā)展方向。

除了漲價,未來存儲器市場還可以期待什么?,進入2023年第四季度,隨著原廠減產(chǎn)效應(yīng)逐漸奏效,加上部分應(yīng)用市場需求持續(xù)強勁,存儲器市場DRAM與NAND Flash價格迎來全面上漲,漲勢有望延續(xù)至明年第一季度。 全球市場研究機構(gòu)TrendForce集邦咨詢調(diào)查顯示,第四季Mobile DRAM合約價季漲幅預(yù)估將擴大至13~18%,NAND Flash方面,eMMC、UFS第四季合約價漲幅約10~15%。展望2024年第一季,預(yù)估整體存儲器的漲勢將延續(xù),其中Mobile DRAM及N

這家車企組建團隊自研SiC功率芯片?, 近日有消息稱,理想汽車目前正在新加坡組建團隊,從事SiC功率芯片的研發(fā)。在職場應(yīng)用LinkedIn上,已經(jīng)可以看到理想近期發(fā)布的五個新加坡招聘崗位,包括總經(jīng)理、SiC功率模塊故障分析/物理分析專家、SiC功率模塊設(shè)計專家、SiC功率模塊工藝專家和SiC功率模塊電氣設(shè)計專家。

又一集成電路學(xué)院成立!, 近期,南通大學(xué)微電子學(xué)院(集成電路學(xué)院)掛牌儀式在南通大學(xué)舉行。據(jù)悉,南通大學(xué)微電子學(xué)院(集成電路學(xué)院)成立后,將依托南通大學(xué)相關(guān)專業(yè)及省重點實驗室,圍繞集成電路材料、裝備、工藝與設(shè)計等方向,在人才培養(yǎng)、學(xué)科建設(shè)、產(chǎn)教融合、校企共建共享等方面開展合作,促進課程內(nèi)容與技術(shù)發(fā)展銜接、人才培養(yǎng)與產(chǎn)業(yè)需求融合, 推進高校與企業(yè)、行業(yè)、產(chǎn)業(yè)等協(xié)同育人、協(xié)同創(chuàng)新,全力推進南通戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)、未來產(chǎn)業(yè)

三星電子(Samsung Electronics)制定新目標(biāo),到2028年,將AI芯片在代工業(yè)務(wù)銷售比例提高到50%。, 三星電子(Samsung Electronics)制定新目標(biāo),到2028年,將AI芯片在代工業(yè)務(wù)銷售比例提高到50%。 根據(jù)韓媒BusinessKorea報導(dǎo),半導(dǎo)體業(yè)界人士透露,三星晶圓代工事業(yè)目前按應(yīng)用劃分的營收明細顯示,移動芯片占54%、AI服務(wù)器相關(guān)的高性能計算(

重點發(fā)展氮化鎵,英諾賽科(蘇州)全球研發(fā)中心正式啟用, 據(jù)吳江工信消息,11月20日,英諾賽科(蘇州)全球研發(fā)中心正式啟用,將打造成為新型寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件研發(fā)基地,同時開展大規(guī)模量產(chǎn)化工程問題研究,提升氮化鎵材料與器件的整體競爭力。 消息稱,本次啟用的英諾賽科(蘇州)全球研發(fā)中心建筑面積3.5萬平方米,將圍繞“新一代信息功能材料及功率器件”和“戰(zhàn)略型新興產(chǎn)業(yè)”需求,重點發(fā)展第三代寬禁帶半導(dǎo)體氮

LG電子下一代SoC采用芯原矢量圖形GPU, 據(jù)“芯原VeriSilicon”消息,11月22日,芯原股份宣布LG電子 (LG) 的下一代SoC采用了芯原業(yè)經(jīng)驗證的低功耗GCNanoUltraV 2.5D GPU,這一集成將為該SoC面向的各類應(yīng)用提供強大的圖像處理功能。 芯原的Vivante GCNanoUltraV 2.5D GPU集成了其自主研發(fā)的緊湊型VGLite API底層驅(qū)動程序,支持流

艾佩科半導(dǎo)體前驅(qū)體材料及高純電子特氣生產(chǎn)項目開工, 據(jù)“海韻洋口”消息,1111月21日,南通艾佩科半導(dǎo)體材料有限公司半導(dǎo)體前驅(qū)體材料及高純電子特氣生產(chǎn)項目開工儀式在洋口化學(xué)工業(yè)園區(qū)舉辦。 艾佩科(上海)氣體有限公司董事長徐學(xué)強表示,南通艾佩科半導(dǎo)體前驅(qū)體材料及高純電子特氣生產(chǎn)項目隸屬國家戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè),公司將以推動高端半導(dǎo)體材料國產(chǎn)化為戰(zhàn)略目標(biāo),為洋口鎮(zhèn)乃至如東縣經(jīng)濟發(fā)展做出應(yīng)有的貢獻。

據(jù)無錫太湖灣科創(chuàng)城消息,近日,揚賀揚存儲芯片總部項目簽約儀式在無錫高新區(qū)召開。,據(jù)無錫太湖灣科創(chuàng)城消息,近日,揚賀揚存儲芯片總部項目簽約儀式在無錫高新區(qū)召開。 資料顯示,揚賀揚微電子科技有限公司成立于2016年,是“國家鼓勵的重點集成電路設(shè)計企業(yè)”,深耕工業(yè)級SLC NAND、MLC NAND、SD NAND以及P-NOR等閃存芯片,并且正在導(dǎo)入車規(guī)市場。 消息稱,揚賀揚存儲芯片總部項目預(yù)計未來三年銷售收入將突破10億元,并將以無錫總部作為科創(chuàng)板上市主體。

5G+工業(yè)互聯(lián)網(wǎng):新型工業(yè)化助推器,美的荊州工廠超2500個5G終端廣泛連接,5G技術(shù)在生產(chǎn)、倉儲、安防等多個業(yè)務(wù)環(huán)節(jié)得到了落地應(yīng)用;施耐德武漢工廠的5G服務(wù)滿足了產(chǎn)線柔性部署需求,換線時間低到15分鐘,使得生產(chǎn)效率大幅提升;中國商飛將“5G+工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)”與虛擬現(xiàn)實技術(shù)融合創(chuàng)新,實現(xiàn)可視化飛機線纜裝配,裝配效率提升50%;海爾利用“5G+工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)”,打通“

盡管半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)仍處調(diào)整周期中,但部分應(yīng)用市場需求強勁,正吸引半導(dǎo)體廠商積極擴產(chǎn),而在芯片制造過程中,制造設(shè)備不可或缺。近期,為滿足市場需要,全球光刻機大廠ASML又有新動作。, 盡管半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)仍處調(diào)整周期中,但部分應(yīng)用市場需求強勁,正吸引半導(dǎo)體廠商積極擴產(chǎn),而在芯片制造過程中,制造設(shè)備不可或缺。近期,為滿足市場需要,全球光刻機大廠ASML又有新動作。 ASML大手筆,每年1億歐元扶

彭博社引用知情人士消息透露,臺積電已告知其供應(yīng)鏈合作伙伴,正在考慮在日本南部熊本縣建設(shè)第三家工廠,代號為臺積電Fab-23三期。 , 彭博社引用知情人士消息透露,臺積電已告知其供應(yīng)鏈合作伙伴,正在考慮在日本南部熊本縣建設(shè)第三家工廠,代號為臺積電Fab-23三期。 現(xiàn)階段臺積電正在熊本建造一座生產(chǎn)成熟制程的晶圓廠,臺積電還沒有正式宣布第二座晶圓廠計劃,但媒體有已經(jīng)有所報道。至于臺積電日本熊本第三座晶圓