功耗降低23%,三星12nm級DDR5 DRAM成功量產(chǎn)
三星 DRAM芯片 DDR5 , 當(dāng)?shù)貢r(shí)間5月18日,三星電子宣布其采用12納米級工藝技術(shù)的16Gb DDR5 DRAM已開始量產(chǎn),可以滿足了運(yùn)算市場對大規(guī)模數(shù)據(jù)處理的需求。 與上一代產(chǎn)品相較,三星新的12納米等級DDR5 DRAM的速率達(dá)到了7.2Gbps,功耗降低了23%,同時(shí)將晶圓的生產(chǎn)效率提高了20%。 此外,出色的電源效率也使其成為那些希望減少服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心
























