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STD3NC60-1	文件：460.69 Kbytes Page：10 Pages	N-CHANNEL 600V - 1.8ohm - 3.2A DPAK / IPAK PowerMesh??I MOSFET DESCRIPTION The PowerMESH?II is the evolution of the first generation of MESH OVERLAY?. The layout refinements introduced greatly improve the Ron*area figure of merit while keeping the device at the leading edge for what concerns swithing speed, gate charge and ruggedness. ■ TYPICAL RDS(on) = 1. 文件：460.69 Kbytes 頁數(shù)：10 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體	STMICROELECTRONICS
STD3NC60-1	文件：1.90688 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 650V (D-S)Power MOSFET 文件：1.90688 Mbytes 頁數(shù)：9 Pages	VBSEMI 微碧半導(dǎo)體	VBSEMI
STD3NK60ZT4	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-252	ST 上傳：深圳市旺財(cái)半導(dǎo)體有限公司	ST
STD4N80K5	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-252	ST 上傳：深圳市華康聯(lián)電子科技有限公司	ST
STD4N90K5	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-252-3	ST 上傳：天津市博通航睿技術(shù)有限公司	ST

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