N溝道900 V、1.90 Ohm典型值、3 A MDmesh K5功率MOSFET，DPAK封裝

這款超高壓N-溝道功率MOSFET采用MDmesh? K5技術進行設計。該技術以創(chuàng)新專有的垂直工藝為基礎。因此，在要求高功率密度和高效率的應用中，導通電阻顯著降低，并具有極低的柵極電荷。 ? 業(yè)界領先的低 RDS(on) x 面積 \n? 業(yè)界出色的品質(zhì)因數(shù)（FoM） \n? 極低的柵極電荷 \n? 經(jīng)過100％雪崩測試 \n? 穩(wěn)壓保護;

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意法半導體

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/4n90k5/marking.html">4N90K5；Package：DPAK；N-channel 900 V, 1.90 廓 typ.,3 A MDmesh??K5 Power MOSFET in a DPAK package

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isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 4.0A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 900V(Min) -RDS(on) = 2.1Ω(Max)@VGS= 10V APPLICATION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

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ISC

無錫固電

N-channel 900 V, 1.90 廓 typ., 4 A MDmesh??K5 Power MOSFET in a TO-220FP package

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N-channel 900 V, 1.90 廓 typ.,3 A MDmesh??K5 Power MOSFET in a TO-220 package

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