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PHP26N10E	文件：71.48 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOS transistor GENERAL DESCRIPTION N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic envelope featuring high avalanche energy capability, stable blocking voltage, fast switching and high thermal cycling performance with low thermal resistance. Intended for use in Switched Mode Power Supplies 文件：71.48 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	PHI PHI	PHI
PHP26N10E	文件：300 bytes Page：1 Pages	PowerMOS transistor	恩XP	恩XP
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EMB26N10E	文件：220.34 Kbytes Page：5 Pages	N??hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: BVDSS 100V RDSON (MAX.) 30mΩ ID 50A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free 文件：220.34 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE

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更多PHP26N10E供應(yīng)商更新時間2026-1-19 14:56:00