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首頁 >PHP36N03LT>規(guī)格書列表

型號	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
PHP36N03LT	文件：372.1 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 44A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 30V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 17mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：372.1 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
PHP36N03LT	文件：888.31 Kbytes Page：13 Pages	N-channel TrenchMOS logic level FET 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. 1.2 Features and benefits ? Sim 文件：888.31 Kbytes 頁數(shù)：13 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PHP36N03LT	文件：91.74 Kbytes Page：13 Pages	N-channel TrenchMOS logic level FET 文件：91.74 Kbytes 頁數(shù)：13 Pages	PHI PHI	PHI
PHP36N03LT	文件：214.73 Kbytes Page：13 Pages	N-channel TrenchMOS logic level FET 文件：214.73 Kbytes 頁數(shù)：13 Pages	恩XP	恩XP
PHP36N03LT	文件：300 bytes Page：1 Pages	PHP36N03LT - N-channel TrenchMOS logic level FET N-channel TrenchMOS logic level FET - Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. ·Simple gate drive required due to low gate charge\n·Suitable for logic level gate drive sources;	Nexperia 安世	Nexperia

技術(shù)參數(shù)

Package name：
TO-220AB
Product status：
Production
Channel type：
N
Number of transistors：
1
V_DS [max] (V)：
30
R_DSon [max] @ V_GS = 10 V (mΩ)：
17
R_DSon [max] @ V_GS = 4.5 V (mΩ)：
22
T_j [max] (°C)：
175
I_D [max] (A)：
43.4
Q_GD [typ] (nC)：
2.9
Q_G(tot) [typ] @ V_GS = 10 V (nC)：
18.5
P_tot [max] (W)：
57.6
V_GSth [typ] (V)：
1.5
Automotive qualified：
N
C_iss [typ] (pF)：
690
C_oss [typ] (pF)：
160
Date：
2011-01-08

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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