TMOS POWER FET 23 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.120 OHM

TMOS V? Power Field Effect Transistor N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate TMOS POWER FET 12 AMPERES 60 VOLTS RDS(on)= 0.18 OHM TMOSV is a new technologydesigned to achieve an on–resistance area product about one–half that of standard MOSFETs. This new technology more than doubles th

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MOTOROLA

摩托羅拉

Power MOSFET 23 Amps, 60 Volts

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ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

Power MOSFET 23 Amps, 60 Volts

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ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

Power MOSFET 23 Amps, 60 Volts

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ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

P-Channel 60-V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半導(dǎo)體

功率 MOSFET，23 A，60 V

此功率 MOSFET 適用于承受雪崩和換相模式下的高能量。此類器件針對電源、轉(zhuǎn)換器和電源電機(jī)控制中的低壓、高速開關(guān)應(yīng)用而設(shè)計，尤其適用于二極管速度和換相安全運(yùn)行區(qū)域非常關(guān)鍵的橋式電路，可針對非預(yù)期的瞬時電壓提供附加安全裕度。 ? Avalanche Energy Specified\n? IDSS and VDS(on) Specified at Elevated Temperature\n? Pb-Free Package is Available;

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

TMOS POWER FET 23 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.120 OHM

恩XP