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型號(hào)	下載訂購(gòu)	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
IRFD9210PBF	文件：1.75197 Mbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET DESCRIPTION The HEXFET technology is the key to International Rectifiers advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing of the Power HEXFET design archieve very low on-state resistance combined with high transconductance and extreme device ruggedness. ? D 文件：1.75197 Mbytes 頁(yè)數(shù)：8 Pages	IRF	IRF
IRFD9210PBF	文件：1.45559 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION The Power MOSFETs technology is the key to Vishay advanced line of Power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing of the Power MOSFETs design archieve very low on-state resistance combined with high transconductance and extreme device ruggedness. The 4 pin DIP 文件：1.45559 Mbytes 頁(yè)數(shù)：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFD9210PBF	文件：797.73 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：797.73 Kbytes 頁(yè)數(shù)：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFE9210	文件：134.97 Kbytes Page：7 Pages	REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS SURFACE MOUNT (LCC-18) REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET? TRANSISTORS SURFACE MOUNT (LCC-18) The leadless chip carrier (LCC) package represents the logical next step in the continual evolution of surface mount technology. Desinged to be a close replacement for the TO-39 package, the LCC will give designers th 文件：134.97 Kbytes 頁(yè)數(shù)：7 Pages	IRF	IRF
IRFE9210	文件：138.25 Kbytes Page：7 Pages	Simple Drive Requirements 文件：138.25 Kbytes 頁(yè)數(shù)：7 Pages	IRF	IRF
IRFF9210	文件：130.59 Kbytes Page：7 Pages	HEXFET TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-205AF) Product Summary The HEXFET?technology is the key to International Rectifier’s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing of this latest “State of the Art” design achieves: very low on-state resistance combined with high transconductance. The HEXFET tr 文件：130.59 Kbytes 頁(yè)數(shù)：7 Pages	IRF	IRF

詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IRFD9210PBF
功能描述：
MOSFET P-Chan 200V 0.4 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	IRFD9210PBF	VISHAY	24+	DIP4	8540	只做原裝正品現(xiàn)貨或訂貨假一賠十!	詢價(jià)
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