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首頁(yè) >IRFBA1404PPBF>規(guī)格書列表

型號(hào)	下載訂購(gòu)	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
IRFBA1404PPBF	文件：148.17 Kbytes Page：10 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET HEXFET? Power MOSFET Description This Stripe Planar design of HEXFET? Power MOSFETs utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this MOSFET are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved ruggedness in single 文件：148.17 Kbytes 頁(yè)數(shù)：10 Pages	IRF	IRF
IRFBA1404PPBF	文件：205.2 Kbytes Page：10 Pages	Advanced Process Technology 文件：205.2 Kbytes 頁(yè)數(shù)：10 Pages	IRF	IRF
IRFBA1404PPBF_15	文件：205.2 Kbytes Page：10 Pages	Advanced Process Technology 文件：205.2 Kbytes 頁(yè)數(shù)：10 Pages	IRF	IRF
IRL1404	文件：124.86 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET Description Seventh Generation HEXFET? power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well kn 文件：124.86 Kbytes 頁(yè)數(shù)：8 Pages	IRF	IRF
IRL1404	文件：339.15 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor ? DESCRIPTION ? Combine with the fast switching speed and ruggedized device design,provide the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications. ? FEATURES ? Static drain-source on-resistance: RDS(on) ≤4.0m? ? Enhancement mode ? Fast Switching 文件：339.15 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages	ISC 無(wú)錫固電	ISC
IRL1404L	文件：134.4 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET-R Power MOSFET Description Seventh Generation HEXFET? power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well kn 文件：134.4 Kbytes 頁(yè)數(shù)：10 Pages	IRF	IRF

詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IRFBA1404PPBF
功能描述：
MOSFET MOSFT 40V 206A 3.7mOhm 160nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市品優(yōu)時(shí)代科技有限公司	IRFBA1404PPBF	INFINEON/IR	1907+	NA	900	20年老字號(hào),原裝優(yōu)勢(shì)長(zhǎng)期供貨	詢價(jià)
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更多IRFBA1404PPBF供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-19 19:20:00

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