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型號(hào)	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
IRF634NPBF	文件：162.91 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Fifth generation Power MOSFETs from Vishay utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area.This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that Power MOSFETs are well known for, provides the designer 文件：162.91 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRF634NPBF	文件：222.71 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET Power MOSFET Description Fifth Generation HEXFET? Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well kn 文件：222.71 Kbytes 頁數(shù)：11 Pages	IRF	IRF
IRF634NPBF	文件：300 bytes Page：1 Pages	HEXFET Power MOSFET	Infineon 英飛凌	Infineon
IRF634NS	文件：301.06 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=0.435ohm, Id=8.0A) Description Fifth Generation HEXFET? Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well kn 文件：301.06 Kbytes 頁數(shù)：11 Pages	IRF	IRF
IRF634NS	文件：162.91 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Fifth generation Power MOSFETs from Vishay utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area.This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that Power MOSFETs are well known for, provides the designer 文件：162.91 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRF634NSPBF	文件：222.71 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET Power MOSFET Description Fifth Generation HEXFET? Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well kn 文件：222.71 Kbytes 頁數(shù)：11 Pages	IRF	IRF

詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IRF634NPBF
功能描述：
MOSFET N-Chan 250V 8.0 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	IRF634NPBF	VISHAY/威世	2450+	TO-220	9850	只做原裝正品現(xiàn)貨或訂貨假一賠十!	詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	IRF634NPBF	VishayIR	24+	TO-220AB	271		詢價(jià)
深圳市華斯頓科技有限公司	IRF634NPBF	VISHAY	25+23+	TO-220	27730	絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	IRF634NPBF	IR	23+	TO-220	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)
深圳市科雨電子有限公司	IRF634NPBF	VISHAY	25+	TO-220	3000	就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問購元件!	詢價(jià)
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	IRF634NPBF	IR	23+	TO-220	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)
京海半導(dǎo)體(深圳)有限公司	IRF634NPBF	VISHAY/威世	25+	TO-220	10000	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價(jià)
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深圳市鵬順微電子科技有限公司	IRF634NPBF	Vishay Siliconix	2022+	TO-220-3	38550	全新原裝支持表配單中國著名電子元器件獨(dú)立分銷	詢價(jià)
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更多IRF634NPBF供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-20 17:33:00

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