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IRF644N	文件：123.93 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=240mohm, Id=14A) Description Fifth Generation HEXFET? Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well know 文件：123.93 Kbytes 頁數(shù)：11 Pages	IRF	IRF
IRF644N	文件：171.5 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 文件：171.5 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRF644NL	文件：123.93 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=240mohm, Id=14A) Description Fifth Generation HEXFET? Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well know 文件：123.93 Kbytes 頁數(shù)：11 Pages	IRF	IRF
IRF644NS	文件：123.93 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=240mohm, Id=14A) Description Fifth Generation HEXFET? Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well know 文件：123.93 Kbytes 頁數(shù)：11 Pages	IRF	IRF
IRF644NL	文件：280.08 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET? Power MOSFET 文件：280.08 Kbytes 頁數(shù)：12 Pages	IRF	IRF
IRF644NL	文件：171.5 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 文件：171.5 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRF644NLPBF	文件：171.5 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 文件：171.5 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRF644NPBF	文件：280.08 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET? Power MOSFET 文件：280.08 Kbytes 頁數(shù)：12 Pages	IRF	IRF
IRF644NPBF	文件：171.5 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 文件：171.5 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRF644NS	文件：171.5 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 文件：171.5 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY

詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IRF644N
功能描述：
MOSFET N-Chan 250V 14 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
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更多IRF644N供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-22 16:50:00

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