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FSYA254D3	文件：55.82 Kbytes Page：8 Pages	Radiation Hardened, SEGR Resistant N-Channel Power MOSFETs The Discrete Products Operation of Intersil has developed a series of Radiation Hardened MOSFETs specifically designed for commercial and military space applications. Enhanced Power MOSFET immunity to Single Event Effects (SEE), Single Event Gate Rupture (SEGR) in particular, is combined with 100K 文件：55.82 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	INTERSIL	INTERSIL
FSF254D3	文件：45.29 Kbytes Page：8 Pages	18A, 250V, 0.170 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs Description The Discrete Products Operation of Intersil Corporation has developed a series of Radiation Hardened MOSFETs specifically designed for commercial and military space applications. Enhanced Power MOSFET immunity to Single Event Effects (SEE), Single Event Gate Rupture (SEGR) in particul 文件：45.29 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	INTERSIL	INTERSIL

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