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FDB306	文件：256.829 Kbytes Page：1 Pages	3 AMP FAST RECOVERY BRIDGE RECTIFIERS 文件：256.829 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages	DEC	DEC
FDD306P	文件：505.64 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET General Description This P-Channel 1.8V Specified MOSFET uses Fairchild’s advanced low voltage PowerTrench process. It has been optimized for battery power management. Features ■ –6.7 A, –12 V. RDS(ON) = 28 m? @ VGS = –4.5 V RDS(ON) = 41 m? @ VGS = –2.5 V RDS(ON) = 90 m? @ VGS = –1.8 V ■ Fast 文件：505.64 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD
FDD306P	文件：679.42 Kbytes Page：4 Pages	P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features ? VDS= -30V, ID= -20A RDS(ON) 文件：679.42 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	BYCHIP 百域芯	BYCHIP
FDD306P	文件：756.98 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel 1.8V Specified PowerTrench Features ■ –6.7 A, –12 V. RDS(ON) = 28 mΩ @ VGS = –4.5 V RDS(ON) = 41 mΩ @ VGS = –2.5 V RDS(ON) = 90 mΩ @ VGS = –1.8 V ■ Fast switching speed ■ High performance trench technology for extremely low RDS(ON) ■ High power and current handling capability Applications ■ DC/DC converter Genera 文件：756.98 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI

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更多FDB306供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-19 16:30:00