isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID=52A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 200V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) =49mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC

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ISC

無(wú)錫固電

200V N-Channel MOSFET

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

200V N-Channel MOSFET

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

功率 MOSFET，N 溝道，UniFETTM，250V，52A，69m?，D2PAK

UniFETTM MOSFET 是飛兆半導(dǎo)體?的高壓 MOSFET 系列產(chǎn)品，基于平面條形和 DMOS 技術(shù)。 該 MOSFET 產(chǎn)品專(zhuān)用于降低通態(tài)電阻，并提供更好的開(kāi)關(guān)性能和更高的雪崩能量強(qiáng)度。 該器件系列適用于開(kāi)關(guān)電源轉(zhuǎn)換器應(yīng)用，如功率因數(shù)校正（PFC）、平板顯示器（FPD）電視電源、ATX 及照明設(shè)備用鎮(zhèn)流器。 ?RDS(on) = 49m? （最大值）@ VGS = 10V, ID = 26A\n?低柵極電荷（典型值 49nC) \n?低 Crss（典型值 66pF） \n?100% 經(jīng)過(guò)雪崩擊穿測(cè)試;

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

DESIGN/PROCESS CHANGE NOTIFICATION

Description SuperFET?II MOSFET is Fairchild Semiconductor?’s first generation of high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance.This advanced technology is tailored to minimize conducti

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仙童半導(dǎo)體

200V N-Channel MOSFET

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仙童半導(dǎo)體

200V N-Channel MOSFET

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200V N-Channel MOSFET

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仙童半導(dǎo)體