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VB30100SG-E3SLASH4W	文件：168.82 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.437 V at IF = 5 A FEATURES ? Trench MOS Schottky technology ? Low forward voltage drop, low power losses ? High efficiency operation ? Low thermal resistance ? Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 ? AEC-Q101 qualified ? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2 文件：168.82 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
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