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VB30120C-E3SLASH8W	文件：168.11 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF= 0.50 V at IF= 5 A FEATURES ? Trench MOS Schottky technology ? Low forward voltage drop, low power losses ? High efficiency operation ? Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 ? AEC-Q101 qualified 文件：168.11 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VB30120C-E3SLASH8W	文件：163.22 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：163.22 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
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更多VB30120C-E3SLASH8W供應(yīng)商更新時間2026-1-20 13:44:00