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        1. <del id="5lvfi"></del>
          

          
  
          
  
          
    
  
          
  
          
    
    
    
    
          
  
          

          

          
    
          
    
            
          
                
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          VB30120C
          Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A
          
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

Ultra Low VF= 0.50 V at IF= 5 A


FEATURES

? Trench MOS Schottky technology

? Low forward voltage drop, low power losses

? High efficiency operation

? Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106

? AEC-Q101 qualified


          文件：168.11 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages
          VISHAYVishay Siliconix
          威世威世科技公司
          

          VB30120C
          Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
          文件：158.28 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages
          VISHAYVishay Siliconix
          威世威世科技公司
          

          VB30120C-E3
          Trench MOS Schottky technology
          
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

Ultra Low VF= 0.50 V at IF= 5 A


FEATURES

? Trench MOS Schottky technology

? Low forward voltage drop, low power losses

? High efficiency operation

? Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB
          文件：157.09 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages
          VISHAYVishay Siliconix
          威世威世科技公司
          

          VB30120C-E3
          Schotty Barrier Diode
          
FEATURES
· Low Forward Voltage Drop, Low Power losses
· High Efficiency Operation
· SMD
APPLICATIONS
· Switching Power Supply (SPS)
· High Frequency Converter
· DC/DC Converter
          文件：315.36 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages
          ISC
          無錫固電
          

          VB30120C-E3/4W
          Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A
          
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

Ultra Low VF= 0.50 V at IF= 5 A


FEATURES

? Trench MOS Schottky technology

? Low forward voltage drop, low power losses

? High efficiency operation

? Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106

? AEC-Q101 qualified


          文件：168.11 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages
          VISHAYVishay Siliconix
          威世威世科技公司
          

          VB30120C-E3/8W
          Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A
          
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

Ultra Low VF= 0.50 V at IF= 5 A


FEATURES

? Trench MOS Schottky technology

? Low forward voltage drop, low power losses

? High efficiency operation

? Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106

? AEC-Q101 qualified


          文件：168.11 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages
          VISHAYVishay Siliconix
          威世威世科技公司
          

          VB30120C-E3SLASH4W
          Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A
          
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

Ultra Low VF= 0.50 V at IF= 5 A


FEATURES

? Trench MOS Schottky technology

? Low forward voltage drop, low power losses

? High efficiency operation

? Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106

? AEC-Q101 qualified


          文件：168.11 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages
          VISHAYVishay Siliconix
          威世威世科技公司
          

          VB30120C-E3SLASH8W
          Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A
          
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

Ultra Low VF= 0.50 V at IF= 5 A


FEATURES

? Trench MOS Schottky technology

? Low forward voltage drop, low power losses

? High efficiency operation

? Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106

? AEC-Q101 qualified


          文件：168.11 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages
          VISHAYVishay Siliconix
          威世威世科技公司
          

          VB30120C-E3/4W
          Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
          文件：163.22 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages
          VISHAYVishay Siliconix
          威世威世科技公司
          

          VB30120C-E3/8W
          Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
          文件：163.22 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages
          VISHAYVishay Siliconix
          威世威世科技公司
          

          
            
          
		
        
          
            
          
                
          詳細(xì)參數(shù)
          
            
          
            
            
            	
          • 型號：
            VB30120C
          • 制造商：
            VISHAY 
          • 制造商全稱：
            Vishay Siliconix 
          • 功能描述：
            Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A 
          
            
          
        
          
            
          供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
          
                
          



          DIOS
          		

          23+
          		

          SOT-23
          		

          69820
          		

          終端可以免費供樣,支持BOM配單!
          		
詢價
          

          



          VISHAY/威世通
          		

          22+
          		

          TO-263
          		

          6000
          		

          十年配單,只做原裝
          		
詢價
          

          



          VISHAY
          		

          25+
          		

          TO-263
          		

          12300
          		

          獨立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費試樣正品保證
          		
詢價
          

          



          VISHAY/威世
          		

          2447
          		

          TO-263
          		

          100500
          		

          一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,長期排單到貨
          		
詢價
          

          



          VISHAY
          		

          25+
          		

          TO-263
          		

          3675
          		

          就找我吧!--邀您體驗愉快問購元件!
          		
詢價
          

          



          VISHAY/威世
          		

          23+
          		

          TO-263
          		

          11200
          		

          原廠授權(quán)一級代理、全球訂貨優(yōu)勢渠道、可提供一站式BO
          		
詢價
          

          



          VISHAY/威世
          		

          22+
          		

          TO-263AB
          		

          82000
          		

          現(xiàn)貨,原廠原裝假一罰十!
          		
詢價
          

          



          VISHAY/威世
          		

          22+
          		

          TO-263
          		

          100000
          		

          代理渠道/只做原裝/可含稅
          		
詢價
          

          



          Vishay Semiconductor Diodes Di
          		

          23+
          		

          TO263AB
          		

          8000
          		

          只做原裝現(xiàn)貨
          		
詢價
          

          



          VISHAY
          		

          24+
          		

          N/A
          		

          5000
          		

          十年沉淀唯有原裝
          		
詢價
          

            
          
        
          
        
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                  <strong id="5lvfi"><form id="5lvfi"></form></strong>
                  

                1. <del id="5lvfi"></del>
                  

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