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VB30100C-M3/VB30100CHM3	文件：300 bytes Page：1 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.455 V at IF = 5 A ·Trench MOS Schottky technology\n·Low forward voltage drop, low power losses\n·High efficiency operation;	Vishay 威世	Vishay
VB30100C-M3/4W	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB；包裝：卷帶（TR）類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品二極管 - 整流器 - 陣列描述：DIODE SCHOTTKY 30A 100V TO-263AB	Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
VB30100C-M3/8W	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB；包裝：卷帶（TR）類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品二極管 - 整流器 - 陣列描述：DIODE SCHOTTKY 30A 100V TO-263AB	Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division

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