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          VB20120S-E3/8W

          High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

          文件:162.33 Kbytes 頁數(shù):5 Pages

          VISHAYVishay Siliconix

          威世威世科技公司

          VB20120S-E3SLASH4W

          High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

          文件:162.33 Kbytes 頁數(shù):5 Pages

          VISHAYVishay Siliconix

          威世威世科技公司

          VB20120S-E3SLASH8W

          High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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          VISHAYVishay Siliconix

          威世威世科技公司

          VB20120S-E3/4W

          肖特基二極管與整流器 20 Amp 120 Volt Single TrenchMOS

          Vishay

          威世

          VB20120S-E3/4W

          Package:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB;包裝:管件 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 單 描述:DIODE SCHOTTKY 120V 20A TO263AB

          Vishay General Semiconductor - Diodes Division

          Vishay General Semiconductor - Diodes Division

          VB20120S-E3/8W

          Package:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB;包裝:管件 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 單 描述:DIODE SCHOTTKY 120V 20A TO263AB

          Vishay General Semiconductor - Diodes Division

          Vishay General Semiconductor - Diodes Division

          詳細(xì)參數(shù)

          • 型號:

            VB20120S-E3

          • 功能描述:

            肖特基二極管與整流器 20 Amp 120 Volt Single TrenchMOS

          • RoHS:

          • 制造商:

            Skyworks Solutions, Inc.

          • 產(chǎn)品:

            Schottky Diodes

          • 峰值反向電壓:

            2 V

          • 正向連續(xù)電流:

            50 mA

          • 配置:

            Crossover Quad

          • 正向電壓下降:

            370 mV

          • 最大功率耗散:

            75 mW

          • 工作溫度范圍:

            - 65 C to + 150 C

          • 安裝風(fēng)格:

            SMD/SMT

          • 封裝/箱體:

            SOT-143

          • 封裝:

            Reel

          供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
          VISHAY/威世
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          Vishay General Semiconductor -
          25+
          TO-263AB(D?PAK)
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          更多VB20120S-E3供應(yīng)商 更新時間2026-1-19 11:09:00
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