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        1. <del id="5lvfi"></del>
          

          
  
          
  
          
    
  
          
  
          
    
    
    
    
          
  
          

          

          
    
          
    
            
          
                
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          VB20120S-E3
          High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
          
Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A
FEATURES
? Trench MOS Schottky technology
? Low forward voltage drop, low power losses
? High efficiency operation
? Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package)
? Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 2
          文件：161.02 Kbytes 頁數：6 Pages
          VISHAYVishay Siliconix
          威世威世科技公司
          

          VB20120S-E3
          High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
          
FEATURES
? Trench MOS Schottky technology
? Low forward voltage drop, low power losses
? High efficiency operation
? Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum
peak of 245 °C (for TO-263AB package)
? Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per
JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB, 
          文件：217.34 Kbytes 頁數：6 Pages
          VISHAYVishay Siliconix
          威世威世科技公司
          

          VB20120S-E3
          Schotty Barrier Diode
          
FEATURES
· Low Forward Voltage Drop, Low Power losses
· High Efficiency Operation
· SMD
APPLICATIONS
· Switching Power Supply (SPS)
· High Frequency Converter
· DC/DC Converter
          文件：320.6 Kbytes 頁數：2 Pages
          ISC
          無錫固電
          

          VB20120S-E3
          High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
          文件：150.35 Kbytes 頁數：5 Pages
          VISHAYVishay Siliconix
          威世威世科技公司
          

          VB20120S-E3
          High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A
           Trench MOS Schottky technology\nLow forward voltage drop, low power losses\nHigh efficiency operation;
          Vishay
          威世
          

          VB20120S-E3/4W
          High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A
          
FEATURES
? Trench MOS Schottky technology
? Low forward voltage drop, low power losses
? High efficiency operation
? Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per
?? JESD 22-B106
? AEC-Q101 qualified
? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in
?? accordance to WEEE 2002/96/EC
? Haloge
          文件：166.29 Kbytes 頁數：5 Pages
          VISHAYVishay Siliconix
          威世威世科技公司
          

          VB20120S-E3/8W
          High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A
          
FEATURES
? Trench MOS Schottky technology
? Low forward voltage drop, low power losses
? High efficiency operation
? Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per
?? JESD 22-B106
? AEC-Q101 qualified
? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in
?? accordance to WEEE 2002/96/EC
? Haloge
          文件：166.29 Kbytes 頁數：5 Pages
          VISHAYVishay Siliconix
          威世威世科技公司
          

          VB20120S-E3SLASH4W
          High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A
          
FEATURES
? Trench MOS Schottky technology
? Low forward voltage drop, low power losses
? High efficiency operation
? Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per
?? JESD 22-B106
? AEC-Q101 qualified
? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in
?? accordance to WEEE 2002/96/EC
? Haloge
          文件：166.29 Kbytes 頁數：5 Pages
          VISHAYVishay Siliconix
          威世威世科技公司
          

          VB20120S-E3SLASH8W
          High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A
          
FEATURES
? Trench MOS Schottky technology
? Low forward voltage drop, low power losses
? High efficiency operation
? Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per
?? JESD 22-B106
? AEC-Q101 qualified
? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in
?? accordance to WEEE 2002/96/EC
? Haloge
          文件：166.29 Kbytes 頁數：5 Pages
          VISHAYVishay Siliconix
          威世威世科技公司
          

          VB20120S-E3/4W
          High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
          文件：162.33 Kbytes 頁數：5 Pages
          VISHAYVishay Siliconix
          威世威世科技公司
          

          
            
          
		
        
          
            
          
                
          詳細參數
          
            
          
            
            
            	
          • 型號：
            VB20120S-E3
          • 功能描述：
            肖特基二極管與整流器 20 Amp 120 Volt Single TrenchMOS 
          • RoHS：
            否 
          • 制造商：
            Skyworks Solutions, Inc. 
          • 產品：
            Schottky Diodes 
          • 峰值反向電壓：
            2 V 
          • 正向連續(xù)電流：
            50 mA 
          • 配置：
            Crossover Quad 
          • 正向電壓下降：
            370 mV 
          • 最大功率耗散：
            75 mW 
          • 工作溫度范圍：
            - 65 C to + 150 C 
          • 安裝風格：
            SMD/SMT 
          • 封裝/箱體：
            SOT-143 
          • 封裝：
            Reel 
          
            
          
        
          
            
          供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
          
                
          



          VISHAY/威世
          		

          23+
          		

          		

          11200
          		

          原廠授權一級代理、全球訂貨優(yōu)勢渠道、可提供一站式BO
          		
詢價
          

          



          VISHAY
          		

          25+
          		

          TO-263
          		

          3675
          		

          就找我吧!--邀您體驗愉快問購元件!
          		
詢價
          

          



          		

          24+
          		

          N/A
          		

          52000
          		

          一級代理-主營優(yōu)勢-實惠價格-不悔選擇
          		
詢價
          

          



          Vishay General Semiconductor -
          		

          25+
          		

          TO-263AB(D?PAK)
          		

          9350
          		

          獨立分銷商 公司只做原裝 誠心經營 免費試樣正品保證
          		
詢價
          

          



          TOSHIBA/東芝
          		

          23+
          		

          SOP-8
          		

          69820
          		

          終端可以免費供樣,支持BOM配單!
          		
詢價
          

          



          VISHAY/威世
          		

          TO-263
          		

          22+
          		

          6000
          		

          十年配單,只做原裝
          		
詢價
          

          



          VISHAY
          		

          		

          原廠封裝
          		

          9800
          		

          原裝進口公司現(xiàn)貨假一賠百
          		
詢價
          

          



          VISHAY/威世
          		

          22+
          		

          TO-263
          		

          100000
          		

          代理渠道/只做原裝/可含稅
          		
詢價
          

          



          VISHAY/威世
          		

          22+
          		

          TO-263AB
          		

          82000
          		

          現(xiàn)貨,原廠原裝假一罰十!
          		
詢價
          

          



          VISHAY/威世
          		

          2447
          		

          TO-263
          		

          100500
          		

          一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,長期排單到貨
          		
詢價
          

            
          
        
          
        
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            更新時間2026-1-18 11:09:00
        
          
        
          
          
          
            
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              • <tfoot id="5lvfi"><menuitem id="5lvfi"></menuitem></tfoot>
                

                <th id="5lvfi"><progress id="5lvfi"></progress></th>
                  <strong id="5lvfi"><form id="5lvfi"></form></strong>
                  <strong id="5lvfi"><form id="5lvfi"></form></strong>
                  

                1. <del id="5lvfi"></del>
                  

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