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VB20200C | Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.60 V at IF = 5 A Ultra Low VF = 0.60 V at IF = 5 A FEATURES ? Trench MOS Schottky technology ? Low forward voltage drop, low power losses ? High efficiency operation ? Low thermal resistance ? Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) ? Solder bath te 文件：166.57 Kbytes 頁(yè)數(shù)：5 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY | |
VB20200C | Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：160.99 Kbytes 頁(yè)數(shù)：5 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY | |
VB20200C | Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：157.42 Kbytes 頁(yè)數(shù)：5 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY | |
VB20200C | Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：147.86 Kbytes 頁(yè)數(shù)：5 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY | |
Trench MOS Schottky technology Ultra Low VF = 0.60 V at IF = 5 A FEATURES ? Trench MOS Schottky technology ? Low forward voltage drop, low power losses ? High efficiency operation ? Low thermal resistance ? Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) ? Solder bath te 文件：155.83 Kbytes 頁(yè)數(shù)：6 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY | ||
Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES ? Trench MOS Schottky technology ? Low forward voltage drop, low power losses ? High efficiency operation ? Low thermal resistance ? Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) ? Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 文件：214.84 Kbytes 頁(yè)數(shù)：6 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY | ||
Schotty Barrier Diode FEATURES · Low Forward Voltage Drop, Low Power losses · High Efficiency Operation · SMD APPLICATIONS · Switching Power Supply (SPS) · High Frequency Converter · DC/DC Converter 文件：315.19 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages | ISC 無(wú)錫固電 | ISC | ||
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.60 V at IF = 5 A Ultra Low VF = 0.60 V at IF = 5 A FEATURES ? Trench MOS Schottky technology ? Low forward voltage drop, low power losses ? High efficiency operation ? Low thermal resistance ? Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) ? Solder bath te 文件：166.57 Kbytes 頁(yè)數(shù)：5 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY | ||
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.60 V at IF = 5 A Ultra Low VF = 0.60 V at IF = 5 A FEATURES ? Trench MOS Schottky technology ? Low forward voltage drop, low power losses ? High efficiency operation ? Low thermal resistance ? Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) ? Solder bath te 文件：166.57 Kbytes 頁(yè)數(shù)：5 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY | ||
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：160.99 Kbytes 頁(yè)數(shù)：5 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY |
詳細(xì)參數(shù)
- 型號(hào)：
VB20200C
- 制造商：
VISHAY
- 制造商全稱：
Vishay Siliconix
- 功能描述：
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
原廠封裝 |
9800 |
原裝進(jìn)口公司現(xiàn)貨假一賠百 |
詢價(jià) | |||
VISHAY |
25+23+ |
TO-263 |
25494 |
絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
VISHAY/威世 |
2016 |
TO-263AB |
15000 |
原裝正品現(xiàn)貨,可開(kāi)發(fā)票,假一賠十 |
詢價(jià) | ||
VISHAY/威世 |
2447 |
TO-263 |
100500 |
一級(jí)代理專營(yíng)品牌!原裝正品,優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨,長(zhǎng)期排單到貨 |
詢價(jià) | ||
VISHAY |
25+ |
TO-263 |
3675 |
就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問(wèn)購(gòu)元件! |
詢價(jià) | ||
VISHAY/威世 |
23+ |
TO-263AB |
4500 |
原裝正品假一罰百!可開(kāi)增票! |
詢價(jià) | ||
VISHAY |
23+ |
TO263 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價(jià) | ||
VISHAY/威世 |
23+ |
TO-263 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價(jià) | ||
Vishay Semiconductor Diodes Di |
22+ |
TO263AB |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價(jià) | ||
VISHAY/威世 |
23+ |
TO-263 |
11200 |
原廠授權(quán)一級(jí)代理、全球訂貨優(yōu)勢(shì)渠道、可提供一站式BO |
詢價(jià) |
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