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VB20200C-E3/8W	文件：166.57 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.60 V at IF = 5 A Ultra Low VF = 0.60 V at IF = 5 A FEATURES ? Trench MOS Schottky technology ? Low forward voltage drop, low power losses ? High efficiency operation ? Low thermal resistance ? Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) ? Solder bath te 文件：166.57 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VB20200C-E3/8W	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品二極管 - 整流器 - 陣列描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO263	Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
VB40120C-E3Z/I	文件：0 bytes Page：0 Pages	NA	VISHAY/威世上傳：深圳瞄鈞科技有限公司	VISHAY/威世
VBPW34FASR	文件：0 bytes Page：0 Pages	2-SMD	VISHAY/威世上傳：深圳市華芯偉電子科技有限公司	VISHAY/威世

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更多VB20200C-E3/8W供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-17 20:25:00