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|---|---|---|---|---|
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES ? Trench MOS Schottky technology ? Low forward voltage drop, low power losses ? High efficiency operation ? Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C ? Material categorization:? for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICAT 文件：102.15 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY | ||
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：168.31 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY | ||
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High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：161.64 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY | ||
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Trench MOS Schottky technology 文件：88.55 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY | ||
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：78.61 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY | ||
Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Trench MOS Schottky technology\nLow forward voltage drop, low power losses\nHigh efficiency operation; | Vishay 威世 | Vishay |
詳細參數(shù)
- 型號：
VB10150C
- 制造商：
VISHAY
- 制造商全稱：
Vishay Siliconix
- 功能描述：
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.63 V at IF = 3 A
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
GENERAL SEMICONDUCTOR |
2023+ |
SMD |
5044 |
安羅世紀電子只做原裝正品貨 |
詢價 | ||
vishay原裝 |
25+23+ |
TO-263 |
22692 |
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詢價 | ||
vishay原裝 |
24+ |
TO-263 |
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原裝現(xiàn)貨/放心購買 |
詢價 | ||
VISHAY/威世 |
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VISHAY |
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VISHAY |
24+ |
原廠正品 |
8000 |
進口原裝現(xiàn)貨假一賠十 |
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vishay |
23+ |
TO-263 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價 | ||
VISHAY/威世 |
23+ |
TO-263 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價 | ||
Vishay Semiconductor Diodes Di |
22+ |
TO263AB |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價 | ||
VISHAY/威世 |
23+ |
11200 |
原廠授權一級代理、全球訂貨優(yōu)勢渠道、可提供一站式BO |
詢價 |
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