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          首頁>VB10150C-E3>規(guī)格書詳情

          VB10150C-E3中文資料Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier數(shù)據(jù)手冊Vishay規(guī)格書

          PDF無圖
          廠商型號

          VB10150C-E3

          參數(shù)屬性

          VB10150C-E3 封裝/外殼為TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB;包裝為管件;類別為分立半導體產(chǎn)品的二極管-整流器-陣列;產(chǎn)品描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V TO263

          功能描述

          Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

          封裝外殼

          TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB

          制造商

          Vishay Vishay Siliconix

          中文名稱

          威世 威世科技公司

          數(shù)據(jù)手冊

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          更新時間

          2026-1-21 15:09:00

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          VB10150C-E3規(guī)格書詳情

          特性 Features

          Trench MOS Schottky technology
          Low forward voltage drop, low power losses
          High efficiency operation

          應用 Application

          For use in high frequency converters, switching power supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, DC/DC converters and reverse battery protection.

          技術參數(shù)

          • 產(chǎn)品編號:

            VB10150C-E3/8W

          • 制造商:

            Vishay General Semiconductor - Diodes Division

          • 類別:

            分立半導體產(chǎn)品 > 二極管 - 整流器 - 陣列

          • 系列:

            TMBS?

          • 包裝:

            管件

          • 二極管配置:

            1 對共陰極

          • 二極管類型:

            肖特基

          • 電流 - 平均整流 (Io)(每二極管):

            5A

          • 速度:

            快速恢復 =< 500ns,> 200mA(Io)

          • 工作溫度 - 結:

            -55°C ~ 150°C

          • 安裝類型:

            表面貼裝型

          • 封裝/外殼:

            TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB

          • 供應商器件封裝:

            TO-263AB(D2PAK)

          • 描述:

            DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V TO263

          供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
          VISHAY/威世
          23+
          11200
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