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型號(hào)	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
VB10150C-E3	文件：314.71 Kbytes Page：2 Pages	Schotty Barrier Diode FEATURES · Low Forward Voltage Drop, Low Power losses · High Efficiency Operation · SMD APPLICATIONS · Switching Power Supply (SPS) · High Frequency Converter · DC/DC Converter 文件：314.71 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
VB10150C-E3	文件：300 bytes Page：1 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Trench MOS Schottky technology\nLow forward voltage drop, low power losses\nHigh efficiency operation;	Vishay 威世	Vishay
VB10150C-E3/4W	文件：168.07 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.63 V at IF = 3 A FEATURES ? Trench MOS Schottky technology ? Low forward voltage drop, low power losses ? High efficiency operation ? Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) ? Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s,per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO- 文件：168.07 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VB10150C-E3/8W	文件：168.07 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.63 V at IF = 3 A FEATURES ? Trench MOS Schottky technology ? Low forward voltage drop, low power losses ? High efficiency operation ? Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) ? Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s,per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO- 文件：168.07 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VB10150C-E3SLASH4W	文件：168.07 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.63 V at IF = 3 A FEATURES ? Trench MOS Schottky technology ? Low forward voltage drop, low power losses ? High efficiency operation ? Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) ? Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s,per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO- 文件：168.07 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VB10150C-E3SLASH8W	文件：168.07 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.63 V at IF = 3 A FEATURES ? Trench MOS Schottky technology ? Low forward voltage drop, low power losses ? High efficiency operation ? Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) ? Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s,per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO- 文件：168.07 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VB10150C-E3/4W	文件：168.31 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：168.31 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VB10150C-E3/8W	文件：168.31 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：168.31 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VB10150C-E3-4W	文件：161.64 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：161.64 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VB10150C-E3-8W	文件：161.64 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：161.64 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY

詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
VB10150C-E3
功能描述：
肖特基二極管與整流器 10 Amp 150 Volt Dual TrenchMOS
RoHS：
否
制造商：
Skyworks Solutions, Inc.
產(chǎn)品：
Schottky Diodes
峰值反向電壓：
2 V
正向連續(xù)電流：
50 mA
配置：
Crossover Quad
正向電壓下降：
370 mV
最大功率耗散：
75 mW
工作溫度范圍：
- 65 C to + 150 C
安裝風(fēng)格：
SMD/SMT
封裝/箱體：
SOT-143
封裝：
Reel

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
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